Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
| Переведенное название | Diffusion of In Atoms in SiO2 Films Implanted with As+ Ions |
|---|---|
| Язык оригинала | русский |
| Номер статьи | 1 |
| Страницы (с-по) | 217-223 |
| Число страниц | 7 |
| Журнал | Физика и техника полупроводников |
| Том | 55 |
| Номер выпуска | 3 |
| DOI | |
| Состояние | Опубликовано - мар. 2021 |
ID: 28503438