Standard

Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+. / Tyschenko, I. E.; Voelskow, M.; Сы, Чжунбинь и др.

в: Физика и техника полупроводников, Том 55, № 3, 1, 03.2021, стр. 217-223.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Tyschenko, IE, Voelskow, M, Сы, Ч & Popov, VP 2021, 'Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+', Физика и техника полупроводников, Том. 55, № 3, 1, стр. 217-223. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50597.9557

APA

Tyschenko, I. E., Voelskow, M., Сы, Ч., & Popov, V. P. (2021). Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+. Физика и техника полупроводников, 55(3), 217-223. [1]. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.03.50597.9557

Vancouver

Tyschenko IE, Voelskow M, Сы Ч, Popov VP. Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+. Физика и техника полупроводников. 2021 март;55(3):217-223. 1. doi: 10.21883/FTP.2021.03.50597.9557

Author

Tyschenko, I. E. ; Voelskow, M. ; Сы, Чжунбинь и др. / Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+. в: Физика и техника полупроводников. 2021 ; Том 55, № 3. стр. 217-223.

BibTeX

@article{def9edb9d1f84df19fbc868d7b6ffdd0,
title = "Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+",
abstract = "Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO2, предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In+ предотвращает диффузию индия к поверхности SiO2 при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In-As в соседних замещающих положениях в матрице SiO2. Ключевые слова: индий, мышьяк, диффузия, оксид кремния, ионная имплантация.",
author = "Tyschenko, {I. E.} and M. Voelskow and Чжунбинь Сы and Popov, {V. P.}",
note = "Тысченко И.Е., Voelskow M., Чжунбинь Сы, Попов В.П. Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+ // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55. - № 3. - С. 217-223",
year = "2021",
month = mar,
doi = "10.21883/FTP.2021.03.50597.9557",
language = "русский",
volume = "55",
pages = "217--223",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",
number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+

AU - Tyschenko, I. E.

AU - Voelskow, M.

AU - Сы, Чжунбинь

AU - Popov, V. P.

N1 - Тысченко И.Е., Voelskow M., Чжунбинь Сы, Попов В.П. Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+ // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55. - № 3. - С. 217-223

PY - 2021/3

Y1 - 2021/3

N2 - Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO2, предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In+ предотвращает диффузию индия к поверхности SiO2 при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In-As в соседних замещающих положениях в матрице SiO2. Ключевые слова: индий, мышьяк, диффузия, оксид кремния, ионная имплантация.

AB - Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO2, предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In+ предотвращает диффузию индия к поверхности SiO2 при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In-As в соседних замещающих положениях в матрице SiO2. Ключевые слова: индий, мышьяк, диффузия, оксид кремния, ионная имплантация.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=45332266

U2 - 10.21883/FTP.2021.03.50597.9557

DO - 10.21883/FTP.2021.03.50597.9557

M3 - статья

VL - 55

SP - 217

EP - 223

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 3

M1 - 1

ER -

ID: 28503438