Standard

Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии. / Utkin, Dmitry; Шкляев, Александр Андреевич.

ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: Тезисы докладов. Москва, 2023. стр. 162-163.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Harvard

Utkin, D & Шкляев, АА 2023, Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии. в ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: Тезисы докладов. Москва, стр. 162-163, 2-я объединённая конференция "Электронно-лучевые технологии и рентгеновская оптика в микроэлектронике", Черноголовка, Российская Федерация, 13.11.2023. <https://cebt23.iptm.ru/download/numbered/14.pdf>

APA

Utkin, D., & Шкляев, А. А. (2023). Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии. в ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: Тезисы докладов (стр. 162-163). https://cebt23.iptm.ru/download/numbered/14.pdf

Vancouver

Utkin D, Шкляев АА. Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии. в ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: Тезисы докладов. Москва. 2023. стр. 162-163

Author

Utkin, Dmitry ; Шкляев, Александр Андреевич. / Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии. ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ: Тезисы докладов. Москва, 2023. стр. 162-163

BibTeX

@inproceedings{725a346ab713449493a80e7658d2b9dd,
title = "Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии",
abstract = "Разрабатывается методика, не требующая проведения процессов травления, высоких температур и создания шаблонов, при этом позволяющая контролировать положение, форму и размер частиц на подложке.",
author = "Dmitry Utkin and Шкляев, {Александр Андреевич}",
note = "Уткин, Д. Е. Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии / Д. Е. Уткин, А. А. Шкляев // Электронно-лучевые технологии и рентгеновская оптика в микроэлектронике : Тезисы докладов, Черноголовка, 13–17 ноября 2023 года. – Черноголовка: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 2023. – С. 162-163. Работа выполнена при финансовой поддержке ГЗ: FWGW-2022-0007 на базе ЦКП «Наноструктуры» и «ВТАН НГУ»; 2-я объединённая конференция {"}Электронно-лучевые технологии и рентгеновская оптика в микроэлектронике{"}, КЭЛТ-2023 ; Conference date: 13-11-2023 Through 17-11-2023",
year = "2023",
language = "русский",
pages = "162--163",
booktitle = "ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Формирование частиц Ge на поверхности ITO методами электронной и взрывной литографии

AU - Utkin, Dmitry

AU - Шкляев, Александр Андреевич

N1 - Conference code: 2

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Разрабатывается методика, не требующая проведения процессов травления, высоких температур и создания шаблонов, при этом позволяющая контролировать положение, форму и размер частиц на подложке.

AB - Разрабатывается методика, не требующая проведения процессов травления, высоких температур и создания шаблонов, при этом позволяющая контролировать положение, форму и размер частиц на подложке.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=63123805

M3 - статья в сборнике материалов конференции

SP - 162

EP - 163

BT - ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

CY - Москва

T2 - 2-я объединённая конференция "Электронно-лучевые технологии и рентгеновская оптика в микроэлектронике"

Y2 - 13 November 2023 through 17 November 2023

ER -

ID: 59394907