Standard

Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si. / Чэн, Надя.

2025. 106-106.

Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы

Harvard

Чэн, Н 2025, 'Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si', стр. 106-106.

APA

Чэн, Н. (2025). Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si. 106-106.

Vancouver

Чэн Н. Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si. 2025.

Author

Чэн, Надя. / Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si. 1 стр.

BibTeX

@conference{eb1099bf17fa45a7a0c0ac93b4e0a43c,
title = "Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si",
abstract = "Импульсные лазерные отжиги (ИЛО) используются для кристаллизации аморфных полупроводниковых плёнок на нетугоплавких подложках. Плёнки поликристаллического германия или кремния перспективны для применения гибкой электронике. В случае узкозонных полупроводниковых аморфных слоёв (например a-Ge), включенных в a-Si, ИЛО позволяет селективно кристаллизовать области, поглощающие ИК-излучение, и сформировать нанокристаллы германия в матрице кремния. Такие структуры можно использовать в p-i-n фото- и светодиодах или солнечных элементах.",
author = "Надя Чэн",
year = "2025",
language = "русский",
pages = "106--106",

}

RIS

TY - CONF

T1 - Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si

AU - Чэн, Надя

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Импульсные лазерные отжиги (ИЛО) используются для кристаллизации аморфных полупроводниковых плёнок на нетугоплавких подложках. Плёнки поликристаллического германия или кремния перспективны для применения гибкой электронике. В случае узкозонных полупроводниковых аморфных слоёв (например a-Ge), включенных в a-Si, ИЛО позволяет селективно кристаллизовать области, поглощающие ИК-излучение, и сформировать нанокристаллы германия в матрице кремния. Такие структуры можно использовать в p-i-n фото- и светодиодах или солнечных элементах.

AB - Импульсные лазерные отжиги (ИЛО) используются для кристаллизации аморфных полупроводниковых плёнок на нетугоплавких подложках. Плёнки поликристаллического германия или кремния перспективны для применения гибкой электронике. В случае узкозонных полупроводниковых аморфных слоёв (например a-Ge), включенных в a-Si, ИЛО позволяет селективно кристаллизовать области, поглощающие ИК-излучение, и сформировать нанокристаллы германия в матрице кремния. Такие структуры можно использовать в p-i-n фото- и светодиодах или солнечных элементах.

M3 - тезисы

SP - 106

EP - 106

ER -

ID: 72866013