Research output: Contribution to conference › Abstract
Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si. / Чэн, Надя.
2025. 106-106.Research output: Contribution to conference › Abstract
}
TY - CONF
T1 - Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si
AU - Чэн, Надя
PY - 2025
Y1 - 2025
N2 - Импульсные лазерные отжиги (ИЛО) используются для кристаллизации аморфных полупроводниковых плёнок на нетугоплавких подложках. Плёнки поликристаллического германия или кремния перспективны для применения гибкой электронике. В случае узкозонных полупроводниковых аморфных слоёв (например a-Ge), включенных в a-Si, ИЛО позволяет селективно кристаллизовать области, поглощающие ИК-излучение, и сформировать нанокристаллы германия в матрице кремния. Такие структуры можно использовать в p-i-n фото- и светодиодах или солнечных элементах.
AB - Импульсные лазерные отжиги (ИЛО) используются для кристаллизации аморфных полупроводниковых плёнок на нетугоплавких подложках. Плёнки поликристаллического германия или кремния перспективны для применения гибкой электронике. В случае узкозонных полупроводниковых аморфных слоёв (например a-Ge), включенных в a-Si, ИЛО позволяет селективно кристаллизовать области, поглощающие ИК-излучение, и сформировать нанокристаллы германия в матрице кремния. Такие структуры можно использовать в p-i-n фото- и светодиодах или солнечных элементах.
M3 - тезисы
SP - 106
EP - 106
ER -
ID: 72866013