DOI

Переведенное название COMPLEXES OF INTRINSIC POINT DEFECTS IN SILICON FORMED AS A RESULT OF HIGH-ENERGY XENON ION IMPLANTATION AND POST-IMPLANTATION ANNEALING
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)298-301
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том59
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 2025

    Предметные области OECD FOS+WOS

  • 1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

    Области исследований

  • КРЕМНИЙ, ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ, КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

ID: 75451127