1. 2026
  2. Subthermal Mean Transverse Energies Induced by Electron Refraction on the Jump in Mass at the Surface of Multialkali Photocathodes

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Scheibler, H. E., Rusetsky, V. S., Gorshkov, D. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 25 мар. 2026, в: Physical Review Letters. 136, 12, 7 стр., 127001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2024
  4. Na2KSb/CsxSb interface engineering for high-efficiency photocathodes

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Rusetsky, V. S., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Demin, A. Y., Scheibler, H. E., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 2 авг. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 2, 024008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2023
  6. Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhuhov, A. S., Khoroshilov, V. S., Shwartz, N. L., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2023, в: Physica Scripta. 98, 3, 035702.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2022
  8. ERRATUM TO: SEVERAL ARTICLES IN JETP LETTERS

    Казанцев, Д. М., Альперович, В. Л., Ткаченко, В. А. & Квон, З. Д., дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  9. Spectral Maximum in the Terahertz Photoconductance of a Quantum Point Contact

    Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., июл. 2022, в: JETP Letters. 116, 2, стр. 117-122 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Asymmetry of anticrossing between atomic steps on metal and semiconductor surfaces

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Coupeau, C. & Drouet, M., 28 мар. 2022, в: Journal of Physics: Conference Series. 2227, 1, 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  11. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

    Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Transition from Sublimation to Growth in Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces

    Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhuhov, A. S. & Alperovich, V. L., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 25-28 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  13. Кафедра физики полупроводников физического факультета Новосибирского государственного университета

    Альперович, В. Л., Квон, З. Д. & Латышев, А. В., 2022, в: Сибирский физический журнал. 17, 1, стр. 104-117 14 стр., 9.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. 2021
  15. Photoemission and photon-enhanced thermionic emission: Effect of jump in electron mass

    Alperovich, V. L., Kazantsev, D. M., Zhuravlev, A. G. & Shvartsman, L. D., 30 сент. 2021, в: Applied Surface Science. 561, 149987.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Langmuir evaporation of GaAs(1 1 1)A and GaAs(1 1 1)B: Monte Carlo simulation

    Spirina, A. A., Alperovich, V. L. & Shwartz, N. L., 28 февр. 2021, в: Applied Surface Science. 540, 6 стр., 148281.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. 2020
  18. Photoemission from p-GaAs(Cs,O) under transition from negative to positive electron affinity

    Protopopov, D. E., Khoroshilov, V. S., Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M. & Alperovich, V. L., 28 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  19. Thermal roughening of GaAs surface by unwinding dislocation-induced spiral atomic steps during sublimation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Rudaya, N. S., Kozhukhov, A. S., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2020, в: Applied Surface Science. 529, 6 стр., 147090.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. 2019
  21. Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

    Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

    Kazantsev, D. M., Shwartz, N. L. & Alperovich, V. L., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  24. 2018
  25. Relaxational kinetics of photoemission and photon-enhanced thermionic emission from p-GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

    Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 дек. 2018, в: Applied Surface Science. 461, стр. 10-16 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Alperovich, V. L., Shwartz, N. L., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 618-621 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. Optimization of conditions for thermal smoothing GaAs surfaces

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Kozhuhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  28. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  29. 2017
  30. Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

    Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  31. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  32. Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  33. Temperature dependence of photon-enhanced thermionic emission from GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

    Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 февр. 2017, в: Applied Surface Science. 395, стр. 3-8 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  34. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

ID: 3456578