1. Van der Waals Heteroepitaxial Growth of Layered SnSe2 on Surfaces Si(111) and Bi2Se3 (0001)

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Kurus’, N. N., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 2022, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 58, 6, стр. 564-570 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Thermal Hysteresis in the Resistance of In2Se3Film on Si(111) Surface

    Ponomarev, S., Rogilo, D., Mironov, A., Sheglov, D. & Latyshev, A., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 50-53 4 стр. 9507592. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  3. Structural transitions on Si(1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Zhachuk, R. A., Vergules, A. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 30 янв. 2023, в: Applied Surface Science. 609, 155367.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Structural Transformation of Bi2Se3(001) Surface during Sn Monolayer Annealing

    Zakhozhev, K., Ponomarev, S., Golyashov, V., Nasimov, D., Kokh, K. & Rogilo, D., 8 авг. 2025, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 80-83 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  5. Structural and morphological instabilities of the Si(1 1 1)-7 × 7 surface during silicon growth and etching by oxygen and selenium

    Rogilo, D., Sitnikov, S., Ponomarev, S., Sheglov, D., Fedina, L. & Latyshev, A., 28 февр. 2021, в: Applied Surface Science. 540, 9 стр., 148269.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Sn-mediated transformations on Si(111) surface: reconstructions, electromigration, homoepitaxy

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Vergules, A. I., Mansurov, V. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., мар. 2024, в: Surface Science. 741, 13 стр., 122418.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. SiCxNyOCoatings Enhance Endothelialization and Bactericidal activity and Reduce Blood Cell Activation

    Bhaskar, N., Sulyaeva, V., Gatapova, E., Kaichev, V., Rogilo, D., Khomyakov, M., Kosinova, M. & Basu, B., 12 окт. 2020, в: ACS Biomaterials Science and Engineering. 6, 10, стр. 5571-5587 17 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. On the role of mobile nanoclusters in 2D island nucleation on Si(111)-(7 × 7) surface

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2018, в: Surface Science. 667, стр. 1-7 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Gutakovsky, A. K., Kurus, N. N., Kokh, K. A., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 631, 5 стр., 127615.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. In situ reflection electron microscopy for the surface processes analysis during sublimation and epitaxial growth of layered metal chalcogenides

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Zakhozhev, K. E., Nasimov, D. A., Kurus, N. N., Gutakovskii, A. K., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 2024, в: Modern Electronic Materials. 10, 4, стр. 251-261 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3486631