11 - 17 из 17Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Structural and morphological instabilities of the Si(1 1 1)-7 × 7 surface during silicon growth and etching by oxygen and selenium

    Rogilo, D., Sitnikov, S., Ponomarev, S., Sheglov, D., Fedina, L. & Latyshev, A., 28 февр. 2021, в: Applied Surface Science. 540, 9 стр., 148269.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Structural Transformation of Bi2Se3(001) Surface during Sn Monolayer Annealing

    Zakhozhev, K., Ponomarev, S., Golyashov, V., Nasimov, D., Kokh, K. & Rogilo, D., 8 авг. 2025, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 80-83 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. Structural transitions on Si(1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Zhachuk, R. A., Vergules, A. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 30 янв. 2023, в: Applied Surface Science. 609, 155367.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Thermal Hysteresis in the Resistance of In2Se3Film on Si(111) Surface

    Ponomarev, S., Rogilo, D., Mironov, A., Sheglov, D. & Latyshev, A., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 50-53 4 стр. 9507592. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  5. Van der Waals Heteroepitaxial Growth of Layered SnSe2 on Surfaces Si(111) and Bi2Se3 (0001)

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Kurus’, N. N., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 2022, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 58, 6, стр. 564-570 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Ван-дер-Ваальсовый гетероэпитаксиальный рост слоистого SNSE2 на поверхностях SI(111) и BI2SE3(0001)

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Kurus, N. N., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 2022, в: Автометрия. 58, 6, стр. 21-27 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение

    Дураков, Д. Е., Петров, А. С., Рогило, Д. И., Макеева, А. А., Насимов, Д. А., Никифоров, Д. Ф., Курусь, Н. Н., Милёхин, А. Г., Щеглов, Д. В. & Латышев, А. В., 2025, в: Физика и техника полупроводников. 59, 2, стр. 102-108

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3486631