1. 2017
  2. Dispersion of the refractive index in high-k dielectrics

    Shvets, V. A., Kruchinin, V. N. & Gritsenko, V. A., 1 нояб. 2017, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 123, 5, стр. 728-732 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Dynamics of Growth of the Native Oxide of Cd xHg1−xTe

    Sidorov, G. Y., Shvets, V. A., Sidorov, Y. G. & Varavin, V. S., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 617-624 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Polarization Pyrometry of Layered Semiconductor Structures under Conditions of Low-Temperature Technological Processes

    Azarov, I. A., Shvets, V. A., Dulin, S. A., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Ikusov, D. G., Uzhakov, I. N. & Rykhlitskii, S. V., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 630-638 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 2018
  6. Recent experiments at NovoFEL user stations

    Knyazev, B. A., Azarov, I. A., Chesnokov, E. N., Choporova, Y. Y., Gerasimov, V. V., Gorbachev, Y. I., Getmanov, Y. V., Goldenberg, B. G., Kameshkov, O. E., Koshlyakov, P. V., Kotelnikov, I. A., Kozlov, A. S., Kubarev, V. V., Kulipanov, G. N., Malyshkin, S. B., Nikitin, A. K., Nikitin, P. A., Osintseva, N. D., Pavelyev, V. S., Peltek, S. E., еще 14Petrov, A. K., Popik, V. M., Salikova, T. V., Scheglov, M. A., Seredniakov, S. S., Shastin, V. N., Shevchenko, O. A., Shvets, V. A., Skorokhod, D. A., Skrinsky, A. N., Veber, S. L., Vinokurov, N. A., Voloshinov, V. B. & Zhukavin, R. K., 23 нояб. 2018, в: EPJ Web of Conferences. 195, 00002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  7. 2019
  8. Ellipsometric Method for Measuring the CdTe Buffer-Layer Temperature in the Molecular-Beam Epitaxy of CdHgTe

    Shvets, V. A., Azarov, I. A., Marin, D. V., Yakushev, M. V. & Rykhlitsky, S. V., 1 янв. 2019, в: Semiconductors. 53, 1, стр. 132-137 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Ellipsometric Method of Substrate Temperature Measurement in Low-Temperature Processes of Epitaxy of InSb Layers

    Shvets, V. A., Azarov, I. A., Rykhlitskii, S. V. & Toropov, A. I., 1 янв. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 1, стр. 8-15 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. An Ellipsometric Technique with an ATR Module and a Monochromatic Source of Radiation for Measurement of Optical Constants of Liquids in the Terahertz Range

    Azarov, I. A., Choporova, Y. Y., Shvets, V. A. & Knyazev, B. A., 1 февр. 2019, в: Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. 40, 2, стр. 200-209 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Determining the Compositional Profile of HgTe/Cd xHg1 – xTe Quantum Wells by Single-Wavelength Ellipsometry

    Shvets, V. A., Mikhailov, N. N., Ikusov, D. G., Uzhakov, I. N. & Dvoretskii, S. A., 1 авг. 2019, в: Optics and Spectroscopy. 127, 2, стр. 340-346 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. MBE-grown MCT hetero- A nd nanostructures for IR and THz detectors

    Dvoretsky, S. A., Mikhailov, N. N., Remesnik, V. G., Sidorov, Y. G., Shvets, V. A., Ikusov, D. G., Varavin, V. S., Yakushev, M. V., Gumenjuk-Sichevska, J. V., Golenkov, A. G., Lysiuk, I. O., Tsybrii, Z. F., Shevchik-Shekera, A. V., Sizov, F. F., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 сент. 2019, в: Opto-electronics Review. 27, 3, стр. 282-290 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. 2020
  14. A Mask Based on a Si Epitaxial Layer for the Self-Catalytic Nanowire Growth on GaAs(111)B and GaAs(100) Substrates

    Emelyanov, E. A., Nastovjak, A. G., Petrushkov, M. O., Esin, M. Y., Gavrilova, T. A., Putyato, M. A., Schwartz, N. L., Shvets, V. A., Vasev, A. V., Semyagin, B. R. & Preobrazhenskii, V. V., 1 февр. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 161-164 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3456539