1 - 10 из 10Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2022

  2. Stimulated emission in heavily doped Al0.68Ga0.32N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., дек. 2022, в: Journal of Luminescence. 252, 119392.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2021

  4. Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., сент. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 9, стр. 692-695 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2020

  6. Optical gain and stimulated emission in optically pumped heavily doped Al0.74Ga0.26N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., июл. 2020, в: Optical Materials. 105, 5 стр., 109879.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2019

  8. Optical Gain in Heavily Doped AlxGa1 – xN:Si Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 сент. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 9, стр. 951-954 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2018

  10. Luminescence properties of heavily doped AlxGa1-xN/AlN films grown on sapphire substrate

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., 1 нояб. 2018, в: Journal of Luminescence. 203, стр. 127-134 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Broadband Spontaneous and Stimulated Luminescence of Heavily Doped AlxGa1 – xN Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 июл. 2018, в: Atmospheric and Oceanic Optics. 31, 4, стр. 405-409 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Light emission of heavily doped AlGaN structures under optical pumping

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Zakrevsky, D. E., Zhuravlev, K. S., Wei, X., Li, J. & Chen, L., 1 апр. 2018, в: Journal of Semiconductors. 39, 4, 6 стр., 043002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Amplified luminescence of heavily doped AlxGa1-xN structures under optical pumping

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevskii, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2018, в: Quantum Electronics. 48, 3, стр. 215-221 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. The Excitation of Rydberg Atoms of Thallium in an Electric Field

    Bokhan, P. A., Zakrevskii, D. E., Kim, V. A. & Fateev, N. V., 1 янв. 2018, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 124, 1, стр. 1-7 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. 2017

  16. Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2017, в: Technical Physics Letters. 43, 1, стр. 46-49 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3435398