Владимир Андреевич Голяшов - Результаты исследований

21 - 40 из 43Размер страницы: 20

Сортировать по:: Год публикации

2022
Bi₂Se₃Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene
Antonova, I. V., Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Suprun, E. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 сент. 2022, в: Crystal Growth and Design. 22, 9, стр. 5335-5344 10 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Preparation of an Atomically Clean and Structurally Ordered Bi₂Se₃ (0001) Surface without Molecular Beams and Vacuum Cleaving
Tarasov, A. S., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kozhukhov, A. S., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., июн. 2022, в: Russian Journal of Physical Chemistry B. 16, 3, стр. 479-482 4 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi_{1 –}_xSb_x)₂Te₄ with Various Concentration of Sb Atoms
Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Structural, optical and electronic properties of the wide bandgap topological insulator Bi_1.1Sb_0.9Te₂S
Khatchenko, Y. E., Yakushev, M. V., Seibel, C., Bentmann, H., Orlita, M., Golyashov, V., Ponosov, Y. S., Stepina, N. P., Mudriy, A. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Reinert, F., Martin, R. W. & Kuznetsova, T. V., 15 янв. 2022, в: Journal of Alloys and Compounds. 890, 161824.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Weak antilocalization to weak localization transition in Bi₂Se₃ films on graphene
Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2021
Surface chemical treatment effect on (1 1 1) PbSnTe < In > Topological crystalline insulator films
Tarasov, A. S., Ishchenko, D. V., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Suprun, S. P., Fedosenko, E. V., Sherstyakova, V. N., Rybkin, A. G., Vilkov, O. Y. & Tereshchenko, O. E., 15 дек. 2021, в: Applied Surface Science. 569, 150930.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Band gap opening in the BiSbTeSe2 topological surface state induced by ferromagnetic surface reordering
Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Shikin, A. M., Okotrub, A. V., Lavrov, A. N., Schwier, E. F. & Tereshchenko, O. E., дек. 2021, в: Physical Review Materials. 5, 12, 124204.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Photoemission Properties of a Multialkali Photocathode
Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 505-510 6 стр., 8.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Topology of PbSnTe:In Layers Versus Indium Concentration
Ishchenko, D. V., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Loginov, A. B., Loginov, B. A., Pashchin, N. S., Tarasov, A. S., Fedosenko, E. V. & Sherstyakova, V. N., июл. 2021, в: Technical Physics. 66, 7, стр. 878-882 5 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect
Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Aksenov, V. V., 1 мая 2021, в: Journal of Synchrotron Radiation. 28, стр. 864-875 12 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Growth of Bi₂Se₃/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility
Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2020
Change of the topological surface states induced by ferromagnetic metals deposited on BiSbTeSe2
Kaveev, A. K., Terpitskiy, A. N., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Estyunin, D. A., Shikin, A. M. & Schwier, E. F., 17 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1697, 1, 012095.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование
Spectral detection of spin-polarized ultra low-energy electrons in semiconductor heterostructures
Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Shamirzaev, T. S., Dmitriev, D. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 1 нояб. 2020, в: Ultramicroscopy. 218, 8 стр., 113076.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties
Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Matyushenko, E. V., Neizvestny, I. G., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Tereshchenko, O. E. & Epov, V. S., 1 окт. 2020, в: Semiconductors. 54, 10, стр. 1325-1331 7 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Vapor growth of Bi₂Se₃ and Bi₂O₂Se crystals on mica
Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Goldyreva, E. S., Stepina, N. P., Kirienko, V. V. & Tereshchenko, O. E., сент. 2020, в: Materials Research Bulletin. 129, 6 стр., 110906.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb_0.71Sn_0.29Te crystalline topological insulator
Kaveev, A. K., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Schwier, E. F., Suturin, S. M., Tarasov, A. S. & Tereshchenko, O. E., 15 янв. 2020, в: Materials Chemistry and Physics. 240, 5 стр., 122134.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Electrochemically exfoliated thin Bi₂Se₃ films and van der Waals heterostructures Bi₂Se₃/graphene
Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Kokh, K. A., Kustov, D. A., Soots, R. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 янв. 2020, в: Nanotechnology. 31, 12, 7 стр., 125602.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
2019
Structural transformation of the BiSbTeSe₂ topological insulator during Co laser MBE deposition
Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., 11 дек. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 4 стр., 055016.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование
Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi_1.09Gd_0.06Sb_0.85Te₃
Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. M., 1 сент. 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404-412 9 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion
Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3434138

Голяшов, Владимир Андреевич