1 - 10 из 43Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Weak antilocalization to weak localization transition in Bi2Se3 films on graphene

    Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica

    Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Goldyreva, E. S., Stepina, N. P., Kirienko, V. V. & Tereshchenko, O. E., сент. 2020, в: Materials Research Bulletin. 129, 6 стр., 110906.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Transport properties of (Bi, Sb)2Te3 topological insulator crystals with lateral p-n junction

    Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., дек. 2023, в: Physical Review Materials. 7, 12, 9 стр., 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Topology of PbSnTe:In Layers Versus Indium Concentration

    Ishchenko, D. V., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Loginov, A. B., Loginov, B. A., Pashchin, N. S., Tarasov, A. S., Fedosenko, E. V. & Sherstyakova, V. N., июл. 2021, в: Technical Physics. 66, 7, стр. 878-882 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4

    Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., февр. 2023, в: Symmetry. 15, 2, 469.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Theoretical and experimental determination of work function of HfIrxBy compounds

    Lozanov, V. V., Nikiforov, Y. A., Golosov, M. A., Utkin, A. V., Golyashov, V. A., Kistanov, A. A., Tereshchenko, O. E. & Baklanova, N. I., 30 янв. 2026, в: Applied Surface Science. 716, 12 стр., 164629.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Surface Fermi level tuning in thin epitaxial BiySb2−yTe3−xSex/Si(111) films

    Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Bazhenov, A. O., Ishchenko, D. V., Kumar, N., Shumilin, A. V. & Tereshchenko, O. E., 2025, в: Applied Physics Letters. 126, 22, 223102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Surface chemical treatment effect on (1 1 1) PbSnTe < In > Topological crystalline insulator films

    Tarasov, A. S., Ishchenko, D. V., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Suprun, S. P., Fedosenko, E. V., Sherstyakova, V. N., Rybkin, A. G., Vilkov, O. Y. & Tereshchenko, O. E., 15 дек. 2021, в: Applied Surface Science. 569, 150930.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Subthermal Mean Transverse Energies Induced by Electron Refraction on the Jump in Mass at the Surface of Multialkali Photocathodes

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Scheibler, H. E., Rusetsky, V. S., Gorshkov, D. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 25 мар. 2026, в: Physical Review Letters. 136, 12, 7 стр., 127001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3434138