11 - 12 из 12Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes

    Chistokhin, I. B., Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Marchishin, I. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 2, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2018

  4. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 12585282