1 - 10 из 12Размер страницы: 10
Сортировать по:: Тип
  1. статья › научная › Прошло рецензирование

  2. About the nature of the barrier inhomogeneities at Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Chistokhin, I. B., Dmitriev, D. V., Kozhukhov, A. S. & Zhuravlev, K. S., 3 июн. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 22, 5 стр., 221602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y., Prosvirin, I. P. & Gutakovskii, A. K., 28 февр. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 8, 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Anodic layer formation on the InAlAs surface in Townsend gas-discharge plasma

    Aksenov, M. S., Gutakovskii, A. K., Prosvirin, I. P., Dmitriev, D. V., Nedomolkina, A. A. & Valisheva, N. A., 1 нояб. 2019, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 102, 5 стр., 104611.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. High-Power High-Speed Schottky Photodiodes for Analog Fiber-Optic Microwave Signal Transmission Lines

    Chizh, A. L., Mikitchuk, K. B., Zhuravlev, K. S., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Valisheva, N. A., Aksenov, M. S., Gilinsky, A. M. & Chistokhin, I. B., 1 июл. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 7, стр. 739-741 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. High-Power Microwave Photodiodes Based on MBE-Grown InAlAs/InGaAs Heterostructures

    Zhuravlev, K. S., Gilinskii, A. M., Chistokhin, I. B., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Aksenov, M. S., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., сент. 2021, в: Technical Physics. 66, 9, стр. 1072-1077 6 стр., 34.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Optical properties of native (anodic) layer on the InAlAs surface of different morphology

    Valisheva, N. A., Kruchinin, V. N., Aksenov, M. S., Azarov, I. A. & Nedomolkina, A. A., 30 июн. 2021, в: Thin Solid Films. 728, 138692.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Study of the Density of Interface States at the Insulator/In0.52Al0.48As Interface

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Nastov’yak, A. E., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y. & Dmitriev, D. V., 1 мая 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 5, стр. 469-472 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. The Effect of Fluorine on the Density of States at the Anodic Oxide Layer/In0.53Ga0.47As Interface

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A. & Kovchavtsev, A. P., июн. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 6, стр. 478-481 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 12585282