1. 2017
  2. Properties of methylammonium lead iodide perovskite single crystals

    Yudanova, E. S., Duda, T. A., Tereshchenko, O. E. & Semenova, O. I., 1 дек. 2017, в: Journal of Structural Chemistry. 58, 8, стр. 1567-1572 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Solar energy converters based on multi-junction photoemission solar cells

    Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Rodionov, A. A., Chistokhin, I. B., Kislykh, N. V., Mironov, A. V. & Aksenov, V. V., 23 нояб. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, 9 стр., 16154.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Prolonged duration of nonequilibrated Dirac fermions in neutral topological insulators

    Sumida, K., Ishida, Y., Zhu, S., Ye, M., Pertsova, A., Triola, C., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Balatsky, A. V., Shin, S. & Kimura, A., 26 окт. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, 7 стр., 14080.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes

    Rodionov, A. A., Golyashov, V. A., Chistokhin, I. B., Jaroshevich, A. S., Derebezov, I. A., Haisler, V. A., Shamirzaev, T. S., Marakhovka, I. I., Kopotilov, A. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 26 сент. 2017, в: Physical Review Applied. 8, 3, 8 стр., 034026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Conductance oscillations and zero-bias anomaly in a single superconducting junction to a three-dimensional Bi2Te3 topological insulator

    Shvetsov, O. O., Kostarev, V. A., Kononov, A., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Deviatov, E. V., 1 сент. 2017, в: Europhysics Letters. 119, 5, 5 стр., 57009.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study

    Klimovskikh, I. I., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Ernst, A., Rusinov, I. P., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Sánchez-Barriga, J., Varykhalov, A. Y., Rader, O., Kokh, K. A. & Chulkov, E. V., 13 июн. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, стр. 3353 8 стр., 3353.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Anomalously large gap and induced out-of-plane spin polarization in magnetically doped 2D Rashba system: V-doped BiTeI

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Klimovskikh, I. I., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K. A., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., 1 июн. 2017, в: 2D Materials. 4, 2, 9 стр., 025055.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Geometric and electronic structure of the cs-doped Bi2Se3(0001) surface

    Otrokov, M. M., Ernst, A., Mohseni, K., Fulara, H., Roy, S., Castro, G. R., Rubio-Zuazo, J., Ryabishchenkova, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Chulkov, E. V., Meyerheim, H. L. & Parkin, S. S. P., 22 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 9 стр., 205429.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Spin-resolved band structure of heterojunction Bi-bilayer/3D topological insulator in the quantum dimension regime in annealed Bi2Te2.4Se0.6

    Klimovskikh, I. I., Sostina, D., Petukhov, A., Rybkin, A. G., Eremeev, S. V., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 5 апр. 2017, в: Scientific Reports. 7, стр. 45797 6 стр., 45797.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3439409