Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes

Ikonnikov, A. V., Chernichkin, V. I., Dudin, V. S., Akopian, D. A., Akimov, A. N., Klimov, A. E., Tereshchenko, O. E., Ryabova, L. I. & Khokhlov, D. R., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1272-1277 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Ferromagnetic Layers in a Topological Insulator (Bi,Sb)₂Te₃Crystal Doped with Mn

Frolov, A. S., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Vilkov, O. Y., Golyashov, V., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K., Muntwiler, M., Amati, M., Gregoratti, L., Sirotina, A. P., Abakumov, A. M., Sánchez-Barriga, J. & Yashina, L. V., 27 дек. 2022, в: ACS Nano. 16, 12, стр. 20831-20841 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment

Tarasov, A. S., Kumar, N., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kokh, K. A., Bazhenov, A. O., Stepina, N. P. & Tereshchenko, O. E., 15 мар. 2024, в: Applied Surface Science. 649, 9 стр., 159122.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Geometric and electronic structure of the cs-doped Bi₂Se₃(0001) surface

Otrokov, M. M., Ernst, A., Mohseni, K., Fulara, H., Roy, S., Castro, G. R., Rubio-Zuazo, J., Ryabishchenkova, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Chulkov, E. V., Meyerheim, H. L. & Parkin, S. S. P., 22 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 9 стр., 205429.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study

Klimovskikh, I. I., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Ernst, A., Rusinov, I. P., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Sánchez-Barriga, J., Varykhalov, A. Y., Rader, O., Kokh, K. A. & Chulkov, E. V., 13 июн. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, стр. 3353 8 стр., 3353.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Gigantic 2D laser-induced photovoltaic effect in magnetically doped topological insulators for surface zero-bias spin-polarized current generation

Shikin, A. M., Voroshin, V. Y., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Ishida, Y. & Kimura, A., 1 янв. 2018, в: 2D Materials. 5, 1, 8 стр., 015015.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Growth of Bi₂Se₃/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility

Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Impact of Co Atoms on the Electronic Structure of Bi₂Te₃ and MnBi₂Te₄ Topological Insulators

Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Fil’nov, S. O., Glazkova, D. A., Pudikov, D. A., Rybkin, A. G., Gogina, A. A., Aliev, Z. S., Amiraslanov, I. R., Mamedov, N. T., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Chulkov, E. V. & Klimovskikh, I. I., мая 2022, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 134, 5, стр. 607-614 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Impact of Ultrathin Pb Films on the Topological Surface and Quantum-Well States of Bi₂Se₃ and Sb₂Te₃ Topological Insulators

Surnin, Y. A., Klimovskikh, I. I., Sostina, D. M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., 1 апр. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 126, 4, стр. 535-540 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование