1 - 6 из 6Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Na2KSb/CsxSb interface engineering for high-efficiency photocathodes

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Rusetsky, V. S., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Demin, A. Y., Scheibler, H. E., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 2 авг. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 2, 024008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2022

  4. The measurement of photocathode transverse energy distribution curves (TEDCs) using the transverse energy spread spectrometer (TESS) experimental system

    Jones, L. B., Juarez-Lopez, D. P., Scheibler, H. E., Terekhov, A. S., Militsyn, B. L., Welsch, C. P. & Noakes, T. C. Q., 1 нояб. 2022, в: Review of Scientific Instruments. 93, 11, 12 стр., 113314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2021

  6. Non-monotonic behaviour in the mean transverse energy of electrons emitted from a reflection-mode p-GaAs(Cs,O) photocathode during its QE degradation through oxygen exposure

    Jones, L. B., Scheibler, H. E., Kosolobov, S. N., Terekhov, A. S., Militsyn, B. L. & Noakes, T. C. Q., 25 февр. 2021, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 54, 20, 205301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2020

  8. The increase in band bending at the p-GaN(Cs) - Vacuum interface due to the photoemission from surface states

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Kosolobov, S. N., Scheibler, H. E. & Terekhov, A. S., 1 мар. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  9. 2019

  10. Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Gorshkov, D. V., Kosolobov, S. N. & Scheibler, H. E., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012031.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  11. 2018

  12. Atomic Rearrangements and Photoemission Processes at a p-GaN(Cs)–Vacuum Interface

    Bakin, V. V., Kosolobov, S. N., Rozhkov, S. A., Scheibler, H. E. & Terekhov, A. S., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 3, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3433761