1 - 4 из 4Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures

    Makeeva, A. A., Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 647, 127873.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Sn-mediated transformations on Si(111) surface: reconstructions, electromigration, homoepitaxy

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Vergules, A. I., Mansurov, V. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., мар. 2024, в: Surface Science. 741, 13 стр., 122418.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Structural transitions on Si(1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Zhachuk, R. A., Vergules, A. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 30 янв. 2023, в: Applied Surface Science. 609, 155367.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение

    Дураков, Д. Е., Петров, А. С., Рогило, Д. И., Макеева, А. А., Насимов, Д. А., Никифоров, Д. Ф., Курусь, Н. Н., Милёхин, А. Г., Щеглов, Д. В. & Латышев, А. В., 2025, в: Физика и техника полупроводников. 59, 2, стр. 102-108

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3542389