51 - 60 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Laser annealing of epitaxial CaF2 films on Si

    Dvurechenskii, A. V., Smagina, Z. V., Volodin, V. A., Kacyuba, A. V., Zinovyev, V. A., Ivlev, G. D. & Prakopyeu, S. L., 1 окт. 2021, в: Thin Solid Films. 735, 138898.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A., Kirienko, V. V., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., апр. 2021, в: JETP Letters. 113, 8, стр. 498-503 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots

    Stepina, N. P., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2017, в: JETP Letters. 106, 5, стр. 308-312 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Growth of Silicene by Molecular Beam Epitaxy on CaF2/Si(111) Substrates Modified by Electron Irradiation

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Katsyuba, A. V., Volodin, V. A., Muratov, V. I. & Dvurechenskii, A. V., мая 2024, в: JETP Letters. 119, 9, стр. 703-707 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

    Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр. (Defect and Diffusion Forum; том 386 DDF).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  10. Energy Surface of Pit-Patterned Templates for Growth of Space-Arranged Arrays of Quantum Dots - Molecular Dynamics Calculations Using High-Efficiency Algorithms

    Novikov, P. L., Dvurechenskii, A. V. & Pavsky, K. V., окт. 2019, 2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8934013. (2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3442376