1. ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

    Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Field-enhanced mobility in the multiple-trapping regime

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Jandieri, K., Valkovskii, V. V., Semeniuk, O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F., Juška, G., Reznik, A. & Baranovskii, S. D., 3 июл. 2018, в: Physical Review B. 98, 3, 8 стр., 035201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Growth of Silicene by Molecular Beam Epitaxy on CaF2/Si(111) Substrates Modified by Electron Irradiation

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Katsyuba, A. V., Volodin, V. A., Muratov, V. I. & Dvurechenskii, A. V., мая 2024, в: JETP Letters. 119, 9, стр. 703-707 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots

    Stepina, N. P., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2017, в: JETP Letters. 106, 5, стр. 308-312 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A., Kirienko, V. V., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., апр. 2021, в: JETP Letters. 113, 8, стр. 498-503 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Laser annealing of epitaxial CaF2 films on Si

    Dvurechenskii, A. V., Smagina, Z. V., Volodin, V. A., Kacyuba, A. V., Zinovyev, V. A., Ivlev, G. D. & Prakopyeu, S. L., 1 окт. 2021, в: Thin Solid Films. 735, 138898.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Light-Trapping-Enhanced Photodetection in Ge/Si Quantum Dot Photodiodes Containing Microhole Arrays with Different Hole Depths

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Utkin, D. E. & Dvurechenskii, A. V., сент. 2022, в: Nanomaterials. 12, 17, 2993.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Luminescence of Spatially Ordered Self-Assembled Solitary Ge(Si) Nanoislands and their Groups Incorporated into Photonic Crystals

    Smagina, Z. V., Novikov, A. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Rodyakina, E. E., Nenashev, A. V., Sergeev, S. M., Peretokin, A. V., Kuchinskaya, P. A., Shaleev, M. V., Gusev, S. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 авг. 2020, в: Semiconductors. 54, 8, стр. 853-859 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3442376