Gurzhi effect in point contacts in GaAs

Сарыпов, Д. И., Похабов, Д. А., Погосов, А. Г., Егоров, Д. А., Жданов, Е. Ю. & Бакаров, А. К., мая 2024, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 17, 1.1, стр. 89-95 6 стр., 14.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Interaction-dominated transport in two-dimensional conductors: From degenerate to partially degenerate regime

Gusev, G. M., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Kovalev, V. M., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 25 апр. 2024, в: Physical Review B. 109, 3, 035302.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Light-emitting diodes with Ge(Si) nanoislands embedded in photonic crystals

Shmagin, V. B., Yablonskiy, A. N., Stepikhova, M. V., Yurasov, D. V., Mikhaylov, A. N., Tetelbaum, D. I., Rodyakina, E. E., Morozova, E. E., Shengurov, D. V., Kraev, S. A., Yunin, P. A., Belov, A. I. & Novikov, A. V., 15 апр. 2024, в: Nanotechnology. 35, 16, 165203.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Probing the interaction between topological and Rashba-like surface states in MnBi₂⁢Te₄ through Sn doping

Tarasov, A. V., Estyunin, D. A., Rybkin, A. G., Frolov, A. S., Sergeev, A. I., Eryzhenkov, A. V., Anferova, V. V., Estyunina, T. P., Glazkova, D. A., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Ideta, S., Miyai, Y., Kumar, Y., Shimada, K. & Shikin, A. M., 10 апр. 2024, в: Physical Review B. 111, 16, 165115.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization

Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Gutakovsky, A. K., Kurus, N. N., Kokh, K. A., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 631, 5 стр., 127615.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment

Tarasov, A. S., Kumar, N., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kokh, K. A., Bazhenov, A. O., Stepina, N. P. & Tereshchenko, O. E., 15 мар. 2024, в: Applied Surface Science. 649, 9 стр., 159122.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Conductance Quantization Features in Multichannel Quantum Point Contacts

Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Zhdanov, E. Y. & Bakarov, A. K., 1 мар. 2024, в: JETP Letters. 119, 5, стр. 380-388 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Sn-mediated transformations on Si(111) surface: reconstructions, electromigration, homoepitaxy

Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Vergules, A. I., Mansurov, V. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., мар. 2024, в: Surface Science. 741, 13 стр., 122418.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

High-temperature indium adsorption on Bi2Se3(0001) surface studied by in situ reflection electron microscopy

Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Nasimov, D. A., Kokh, K. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 15 февр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 628, 127545.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Luminescent Properties of Ordered Arrays of Silicon Disk-Like Resonators with Embedded GeSi Quantum Dots

Smagina, Z. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Shengurov, D. V., Kacyuba, A. V. & Novikov, A. V., 15 февр. 2024, в: Semiconductors. 58, 2, стр. 180-186 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование