251 - 260 из 442Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Photon-Assisted Electron Transmission through a Quantum Point Contact

    Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Yaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 5, стр. 480-487 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Plasmon-Enhanced Near-Field Optical Spectroscopy of Multicomponent Semiconductor Nanostructures

    Anikin, K. V., Milekhin, A. G., Rahaman, M., Duda, T. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Vasiliev, R. B., Dzhagan, V. M., Zahn, D. R. T. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 5, стр. 488-494 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Plasmonic Field Enhancement by Metallic Subwave Lattices on Silicon in the Near-Infrared Range

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 6, стр. 411-416 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Real-time observation of self-interstitial reactions on an atomically smooth silicon surface

    Kosolobov, S., Nazarikov, G., Sitnikov, S., Pshenichnyuk, I., Fedina, L. & Latyshev, A., 1 сент. 2019, в: Surface Science. 687, стр. 25-33 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

    Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Step bunching phenomena on Si(0 0 1) surface induced by DC heating during sublimation and Si deposition

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 15 авг. 2019, в: Journal of Crystal Growth. 520, стр. 85-88 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Topological Protection Brought to Light by the Time-Reversal Symmetry Breaking

    Piatrusha, S. U., Tikhonov, E. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Khrapai, V. S., 2 авг. 2019, в: Physical Review Letters. 123, 5, 6 стр., 056801.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...22 23 24 25 26 27 28 29 ...45 Далее

ID: 3084764