Etching of step-bunched Si(1 1 1) surface by Se molecular beam observed by in situ REM › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125273
Конечная издательская версия

D. I. Rogilo
L. I. Fedina
S. A. Ponomarev
D. V. Sheglov
A. V. Latyshev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	125273
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	529
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125273
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 21936058