421 - 440 из 446Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface

    Sitnikov, S. V., Latyshev, A. V. & Kosolobov, S. S., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 196-201 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. AlInAs quantum dots

    Gaisler, A. V., Derebezov, I. A., Gaisler, V. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kozhukhov, A. S., Shcheglov, D. V., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, в: JETP Letters. 105, 2, стр. 103-109 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Atomic Processes on the Silicon Surface

    Latyshev, A. V., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I., Rodyakina, E. E., Nasimov, D. A., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 189-221 33 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  6. Atomic Structure of Semiconductor Low-Dimensional Heterosystems

    Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 223-253 31 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  7. Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Pokhabov, D. A. & Bakarov, A. K., 1 янв. 2017, в: Semiconductors. 51, 1, стр. 8-13 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 265-270 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  9. Electron Transport: From Nanostructures to Nanoelectromechanical Systems

    Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Shevyrin, A. A., Zhdanov, E. Y. & Pokhabov, D. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 101-129 29 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  10. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  11. Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

    Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  12. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 131-155 25 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  13. Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 357-362 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  14. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  15. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  16. Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots

    Dvurechenskii, A. V. & Yakimov, A. I., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 59-99 41 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  17. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 325-344 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  18. The charge trap density evolution in wake-up and fatigue modes of FRAM

    Islamov, D. R., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. J., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 279-281 3 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  19. The Energy Pulse-Oriented Crystallization Phenomenon in Solids (Laser Annealing)

    Dvurechenskii, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 367-381 15 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  20. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 493-504 12 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  21. Two-Dimensional Semimetal in HgTe-Based Quantum Wells

    Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 29-48 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Назад 1...18 19 20 21 22 23 Далее

ID: 3084764