161 - 170 из 417Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Photoemission from p-GaAs(Cs,O) under transition from negative to positive electron affinity

    Protopopov, D. E., Khoroshilov, V. S., Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M. & Alperovich, V. L., 28 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  3. Change of the topological surface states induced by ferromagnetic metals deposited on BiSbTeSe2

    Kaveev, A. K., Terpitskiy, A. N., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Estyunin, D. A., Shikin, A. M. & Schwier, E. F., 17 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1697, 1, 012095.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  4. Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electron Spectrum and Interband Magneto-Absorption of Light by Two-Dimensional Systems with Antidots

    Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., дек. 2020, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 131, 6, стр. 1021-1025 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Self-Organization of Ge(Si) Nanoisland Groups on Pit-Patterned Si(100) Substrates

    Smagina, Z. V., Zinoviev, V. A., Rudin, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, P. L., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 14, стр. 1866-1868 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Gated two-dimensional electron gas in magnetic field: Nonlinear versus linear regime

    Dyakonova, N., Dyakonov, M. & Kvon, Z. D., 24 нояб. 2020, в: Physical Review B. 102, 20, 6 стр., 205305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Terahertz photoresistivity of a high-mobility 3D topological insulator based on a strained HgTe film

    Savchenko, M. L., Otteneder, M., Dmitriev, I. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Ganichev, S. D., 16 нояб. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 20, 201103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Spectral detection of spin-polarized ultra low-energy electrons in semiconductor heterostructures

    Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Shamirzaev, T. S., Dmitriev, D. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 1 нояб. 2020, в: Ultramicroscopy. 218, 8 стр., 113076.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Thermal roughening of GaAs surface by unwinding dislocation-induced spiral atomic steps during sublimation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Rudaya, N. S., Kozhukhov, A. S., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2020, в: Applied Surface Science. 529, 6 стр., 147090.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...13 14 15 16 17 18 19 20 ...42 Далее

ID: 3084764