1. 2021
  2. Crystal structure of thin CaSi2 films grown by radiation-induced epitaxy

    Kacyuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Krupin, A. Y., 15 мая 2021, в: Journal of Crystal Growth. 562, 126080.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Exact statistical solution for the hopping transport of trapped charge via finite Markov jump processes

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 13 мая 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, стр. 10163 10163.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Electrostatic actuation and charge sensing in piezoelectric nanomechanical resonators with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 мая 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 18, 183105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect

    Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Aksenov, V. V., 1 мая 2021, в: Journal of Synchrotron Radiation. 28, стр. 864-875 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Edge state magnetoresistance of a two-dimensional topological insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., мая 2021, в: EPL. 134, 3, 37001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Growth of Bi2Se3/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Optical Phonon Spectrum of the Ge2Sb2Te5 Single Crystal

    Talochkin, A. B., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: JETP Letters. 113, 10, стр. 651-656 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Weak antilocalization in partially relaxed 200-nm HgTe films

    Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Kvon, Z. D., мая 2021, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 129, 114624.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Profiling spin and orbital texture of a topological insulator in full momentum space

    Bentmann, H., Maaß, H., Braun, J., Seibel, C., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Schreyeck, S., Brunner, K., Molenkamp, L. W., Miyamoto, K., Arita, M., Shimada, K., Okuda, T., Kirschner, J., Tusche, C., Ebert, H., Minár, J. & Reinert, F., 15 апр. 2021, в: Physical Review B. 103, 16, L161107.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764