261 - 280 из 448Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

    Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Step bunching phenomena on Si(0 0 1) surface induced by DC heating during sublimation and Si deposition

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 15 авг. 2019, в: Journal of Crystal Growth. 520, стр. 85-88 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Topological Protection Brought to Light by the Time-Reversal Symmetry Breaking

    Piatrusha, S. U., Tikhonov, E. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Khrapai, V. S., 2 авг. 2019, в: Physical Review Letters. 123, 5, 6 стр., 056801.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

    Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Interaction between Electrons and Dipole Excitons in Two-Dimensional Systems (Scientific Summary)

    Kalameitsev, A. V., Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 июн. 2019, в: JETP Letters. 109, 12, стр. 806-815 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Topological surface states in thick partially relaxed HgTe films

    Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Vasilev, N. N., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Kolesnikov, A. V., 14 мая 2019, в: Physical Review B. 99, 19, 7 стр., 195423.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Erratum to: Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction (Journal of Experimental and Theoretical Physics, (2018), 127, 6, (1130-1135), 10.1134/S1063776118120075)

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 128, 5, стр. 816-816 1 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  15. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

    Kazantsev, D. M., Shwartz, N. L. & Alperovich, V. L., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  17. Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Gorshkov, D. V., Kosolobov, S. N. & Scheibler, H. E., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012031.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  18. Conduction mechanisms of TaN/HfO x /Ni memristors

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

    Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 20 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 5 стр., 115130.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...10 11 12 13 14 15 16 17 ...23 Далее

ID: 3084764