1. Temperature dependence of photon-enhanced thermionic emission from GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

    Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 февр. 2017, в: Applied Surface Science. 395, стр. 3-8 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Temperature Dependence of Electron Viscosity in Superballistic GaAs Point Contacts

    Sarypov, D. I., Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 14 янв. 2025, в: Physical Review Letters. 134, 2, 026302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Tailoring the optical field enhancement in Si-based structures covered by nanohole arrays in gold films for near-infrared photodetection

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A. & Dvurechenskii, A. V., июл. 2020, в: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications. 40, 6 стр., 100790.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Systematics of electronic and magnetic properties in the transition metal doped Sb2Te3 quantum anomalous Hall platform

    Islam, M. F., Canali, C. M., Pertsova, A., Balatsky, A., Mahatha, S. K., Carbone, C., Barla, A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Jiménez, E., Brookes, N. B., Gargiani, P., Valvidares, M., Schatz, S., Peixoto, T. R. F., Bentmann, H., Reinert, F., Jung, J., Bathon, T., Fauth, K., еще 2Bode, M. & Sessi, P., 23 апр. 2018, в: Physical Review B. 97, 15, 18 стр., 155429.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Synthesis of Epitaxial Structures with Two-Dimensional Si Layers Embedded in a CaF2 Dielectric Matrix

    Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Volodin, V. A., Gutakovskii, A. K., Deryabin, A. S., Krupin, A. Y., Kulik, L. V., Zhivulko, V. D., Mudryi, A. V. & Dvurechenskii, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 628-633 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Suspended semiconductor nanostructures: physics and technology

    Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Pokhabov, D. A., Zhdanov, E. Y. & Kumar, S., 29 июн. 2022, в: Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal. 34, 26, 35 стр., 263001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › Рецензирование

  7. Suspended quantum point contact with triple channel selectively driven by side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 7 окт. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 15, 152101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Gorshkov, D. V., Kosolobov, S. N. & Scheibler, H. E., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012031.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 325-344 20 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

ID: 3084764