411 - 420 из 446Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Bidirectional surface photovoltage on a topological insulator

    Yoshikawa, T., Sumida, K., Ishida, Y., Chen, J., Nurmamat, M., Akiba, K., Miyake, A., Tokunaga, M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 31 окт. 2019, в: Physical Review B. 100, 16, 165311.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

    Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 11, 9 стр., 115113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Band Structure Near the Dirac Point in HgTe Quantum Wells with Critical Thickness

    Shuvaev, A., Dziom, V., Gospodarič, J., Novik, E. G., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., июл. 2022, в: Nanomaterials. 12, 14, 2492.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Band gap opening in the BiSbTeSe2 topological surface state induced by ferromagnetic surface reordering

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Shikin, A. M., Okotrub, A. V., Lavrov, A. N., Schwier, E. F. & Tereshchenko, O. E., дек. 2021, в: Physical Review Materials. 5, 12, 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Pokhabov, D. A. & Bakarov, A. K., 1 янв. 2017, в: Semiconductors. 51, 1, стр. 8-13 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Ballistic geometric resistance resonances in a single surface of a topological insulator

    Maier, H., Ziegler, J., Fischer, R., Kozlov, D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 8 дек. 2017, в: Nature Communications. 8, 1, 6 стр., 2023.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. A two-dimensional electron gas sensing motion of a nanomechanical cantilever

    Shevyrin, A. & Pogosov, A., 12 мая 2017, в: Mechanical Sciences. 8, 1, стр. 111-115 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Atomic Structure of Semiconductor Low-Dimensional Heterosystems

    Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 223-253 31 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  10. Atomic Structure and Optical Properties of CaSi2 Layers Grown on CaF2/Si Substrates

    Zinovyev, V. A., Kacyuba, A. V., Volodin, V. A., Zinovieva, A. F., Cherkova, S. G., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Krupin, A. Y., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., окт. 2021, в: Semiconductors. 55, 10, стр. 808-811 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...38 39 40 41 42 43 44 45 Далее

ID: 3084764