411 - 420 из 476Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Dirac cone intensity asymmetry and surface magnetic field in V-doped and pristine topological insulators generated by synchrotron and laser radiation

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Estyunin, D. A., Sostina, D. M., Klimovskikh, I. I., Voroshnin, V. Y., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Petaccia, L., Di Santo, G., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, A. K. & Zvezdin, A. K., 25 апр. 2018, в: Scientific Reports. 8, 1, стр. 6544 9 стр., 6544.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 265-270 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., февр. 2022, в: Semiconductors. 56, 2, стр. 101-106 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Demonstration of high sensitivity of microwave-induced resistance oscillations to circular polarization

    Savchenko, M. L., Shuvaev, A., Dmitriev, I. A., Ganichev, S. D., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 16, L161408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Crystal structure of thin CaSi2 films grown by radiation-induced epitaxy

    Kacyuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Krupin, A. Y., 15 мая 2021, в: Journal of Crystal Growth. 562, 126080.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Crystalline structure and magnetic properties of structurally ordered cobalt-iron alloys grown on Bi-containing topological insulators and systems with giant Rashba splitting

    Kaveev, A. K., Sokolov, N. S., Suturin, S. M., Zhiltsov, N. S., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Prosvirin, I. P., Tereshchenko, O. E. & Sawada, M., 28 июн. 2018, в: CrystEngComm. 20, 24, стр. 3419-3427 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. CPU vs RAM in the Issue of ab initio Simulations of Doped Hafnium Oxide for RRAM and FRAM

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2023, в: Supercomputing Frontiers and Innovations. 10, 3, стр. 18-26 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...38 39 40 41 42 43 44 45 ...48 Далее

ID: 3084764