1. Interaction of Rayleigh waves with 2D dipolar exciton gas: Impact of Bose-Einstein condensation

    Boev, M. V., Chaplik, A. V. & Kovalev, V. M., 6 дек. 2017, в: Journal Physics D: Applied Physics. 50, 48, 7 стр., 484002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Interaction of Ge(Si) Self-Assembled Nanoislands with Different Modes of Two-Dimensional Photonic Crystal

    Stepikhova, M. V., Dyakov, S. A., Peretokin, A. V., Shaleev, M. V., Rodyakina, E. E. & Novikov, A. V., авг. 2022, в: Nanomaterials. 12, 15, 2687.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Interaction-dominated transport in two-dimensional conductors: From degenerate to partially degenerate regime

    Gusev, G. M., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Kovalev, V. M., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 25 апр. 2024, в: Physical Review B. 109, 3, 035302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Interaction between Electrons and Dipole Excitons in Two-Dimensional Systems (Scientific Summary)

    Kalameitsev, A. V., Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 июн. 2019, в: JETP Letters. 109, 12, стр. 806-815 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. In situ tuning of symmetry-breaking-induced nonreciprocity in the giant-Rashba semiconductor BiTeBr

    Kocsis, M., Zheliuk, O., Makk, P., Tóvári, E., Kun, P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Taniguchi, T., Watanabe, K., Ye, J. & Csonka, S., сент. 2021, в: Physical Review Research. 3, 3, 033253.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. In situ reflection electron microscopy for the surface processes analysis during sublimation and epitaxial growth of layered metal chalcogenides

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Zakhozhev, K. E., Nasimov, D. A., Kurus, N. N., Gutakovskii, A. K., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 2024, в: Modern Electronic Materials. 10, 4, стр. 251-261 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001)

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Kurus, N. N., Basalaeva, L. S., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 13 сент. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1984, 1, 012016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  8. Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A., Kirienko, V. V., Dvurechenskii, A. V. & Utkin, D. E., апр. 2021, в: JETP Letters. 113, 8, стр. 498-503 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764