61 - 70 из 443Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Observation of different edge current states localization scenarios in a HgTe based two-dimensional topological insulator

    Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Gusev, G. M. & Mikhailov, N. N., мар. 2023, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 147, 115605.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Импульсный терагерцовый спектрометр с полупроводниковым генератором на эффекте модуляции приповерхностного поля

    Шевченко, О. Н., Николаев, Н. А. & Терещенко, О. Е., 6 февр. 2023, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Патент/Св-во № 2789628, 16 июн. 2022, Дата приоритета 16 июн. 2022, № приоритета 2022116206

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › патент на изобретение

  4. Quantum states in disordered media. II. Spatial charge carrier distribution

    Nenashev, A. V., Baranovskii, S. D., Meerholz, K. & Gebhard, F., 1 февр. 2023, в: Physical Review B. 107, 6, 23 стр., 064207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Photonic crystal band structure in luminescence response of samples with Ge/Si quantum dots grown on pit-patterned SOI substrates

    Peretokin, A. V., Stepikhova, M. V., Novikov, A. V., Dyakov, S. A., Zinovieva, A. F., Smagina, Z. V., Nasimov, D. A., Rodyakina, E. E. & Zinovyev, V. A., февр. 2023, в: Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications. 53, 101093.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Scanning of Electronic States in a Quantum Point Contact Using Asymmetrically Biased Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y. & Bakarov, A. K., февр. 2023, в: JETP Letters. 117, 4, стр. 299-305 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4

    Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., февр. 2023, в: Symmetry. 15, 2, 469.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Structural transitions on Si(1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Zhachuk, R. A., Vergules, A. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 30 янв. 2023, в: Applied Surface Science. 609, 155367.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Interference Transport in a Two-Dimensional Topological Insulator in a CdHgTe Quantum Well

    Ryzhkov, M. S., Kozlov, D. A., Khudaiberdiev, D. A., Kvon, Z. D. & Mikhailov, N. N., янв. 2023, в: JETP Letters. 117, 1, стр. 44-47 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. CPU vs RAM in the Issue of ab initio Simulations of Doped Hafnium Oxide for RRAM and FRAM

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2023, в: Supercomputing Frontiers and Innovations. 10, 3, стр. 18-26 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Electrically controlled switching between spatially separated conducting channels in a quantum point contact

    Сарыпов, Д. И., Похабов, Д. А., Погосов, А. Г., Жданов, Е. Ю. & Бакаров, А. К., 2023, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 16, 1.3, стр. 117-123 7 стр., 20.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...3 4 5 6 7 8 9 10 ...45 Далее

ID: 3084764