Conduction mechanisms of TaN/HfO _x /Ni memristors

Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Contact of the intrinsic magnetic topological insulator Mn(Bi,Sb)2Te4 with a superconducting Pb film

Estyunin, D. A., Makarova, T. P., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shikin, A. M. & Klimovskikh, I. I., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 15, 155305.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Controlling the Si(001) Surface Morphology upon Thermal Annealing in a Vacuum Chamber

Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 6, стр. 365-370 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Coulomb Center in a Transition Metal Dichalcogenide Monolayer

Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., нояб. 2021, в: JETP Letters. 114, 9, стр. 545-550 6 стр., 7.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

CPU vs RAM in the Issue of ab initio Simulations of Doped Hafnium Oxide for RRAM and FRAM

Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2023, в: Supercomputing Frontiers and Innovations. 10, 3, стр. 18-26 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Crystalline structure and magnetic properties of structurally ordered cobalt-iron alloys grown on Bi-containing topological insulators and systems with giant Rashba splitting

Kaveev, A. K., Sokolov, N. S., Suturin, S. M., Zhiltsov, N. S., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Prosvirin, I. P., Tereshchenko, O. E. & Sawada, M., 28 июн. 2018, в: CrystEngComm. 20, 24, стр. 3419-3427 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Crystal structure of thin CaSi₂ films grown by radiation-induced epitaxy

Kacyuba, A. V., Dvurechenskii, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Krupin, A. Y., 15 мая 2021, в: Journal of Crystal Growth. 562, 126080.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Demonstration of high sensitivity of microwave-induced resistance oscillations to circular polarization

Savchenko, M. L., Shuvaev, A., Dmitriev, I. A., Ganichev, S. D., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 15 окт. 2022, в: Physical Review B. 106, 16, L161408.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование