191 - 200 из 446Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Photon-Assisted Electron Transmission through a Quantum Point Contact

    Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Yaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 5, стр. 480-487 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Plasmon-Enhanced Near-Field Optical Spectroscopy of Multicomponent Semiconductor Nanostructures

    Anikin, K. V., Milekhin, A. G., Rahaman, M., Duda, T. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Vasiliev, R. B., Dzhagan, V. M., Zahn, D. R. T. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 5, стр. 488-494 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Plasmonic Field Enhancement by Metallic Subwave Lattices on Silicon in the Near-Infrared Range

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 6, стр. 411-416 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Real-time observation of self-interstitial reactions on an atomically smooth silicon surface

    Kosolobov, S., Nazarikov, G., Sitnikov, S., Pshenichnyuk, I., Fedina, L. & Latyshev, A., 1 сент. 2019, в: Surface Science. 687, стр. 25-33 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electronic correlation determining correlated plasmons in Sb-doped B i2 S e3

    Das, P. K., Whitcher, T. J., Yang, M., Chi, X., Feng, Y. P., Lin, W., Chen, J. S., Vobornik, I., Fujii, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Diao, C. Z., Moon, J., Oh, S., Castro-Neto, A. H., Breese, M. B. H., Wee, A. T. S. & Rusydi, A., 4 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 11, 11 стр., 115109.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Magnetic-impurity-induced modifications to ultrafast carrier dynamics in the ferromagnetic topological insulators Sb2-xVxTe3

    Sumida, K., Kakoki, M., Reimann, J., Nurmamat, M., Goto, S., Takeda, Y., Saitoh, Y., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Guedde, J., Hofer, U. & Kimura, A., 4 сент. 2019, в: New Journal of Physics. 21, 9, стр. 093006 8 стр., 093006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 12 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 12, 8 стр., 125202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Energy Surface of Pit-Patterned Templates for Growth of Space-Arranged Arrays of Quantum Dots - Molecular Dynamics Calculations Using High-Efficiency Algorithms

    Novikov, P. L., Dvurechenskii, A. V. & Pavsky, K. V., окт. 2019, 2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8934013. (2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Назад 1...16 17 18 19 20 21 22 23 ...45 Далее

ID: 3084764