1. 2017
  2. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 325-344 20 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  3. The charge trap density evolution in wake-up and fatigue modes of FRAM

    Islamov, D. R., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. J., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 279-281 3 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  4. The Energy Pulse-Oriented Crystallization Phenomenon in Solids (Laser Annealing)

    Dvurechenskii, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 367-381 15 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  5. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  6. Two-Dimensional Semimetal in HgTe-Based Quantum Wells

    Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 29-48 20 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  7. Universality of the (113) Habit Plane in Si for Mixed Aggregation of Vacancies and Self-Interstitial Atoms Provided by Topological Bond Defect Formation

    Fedina, L. I., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 383-407 25 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  8. ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth

    Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2017, в: Semiconductors. 51, 2, стр. 203-206 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Ultrafast energy- and momentum-resolved surface Dirac photocurrents in the topological insulator Sb2Te3

    Kuroda, K., Reimann, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kimura, A., Güdde, J. & Höfer, U., 2 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 5 стр., 081103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Temperature dependence of photon-enhanced thermionic emission from GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

    Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 февр. 2017, в: Applied Surface Science. 395, стр. 3-8 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Giant microwave-induced B -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact

    Levin, A. D., Mikhailov, S. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 4 стр., 081408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  15. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  16. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  17. Local anodic oxidation of solid GeO films: The nanopatterning possibilities

    Astankova, K. N., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2017, в: Surfaces and Interfaces. 6, стр. 56-59 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  18. Surface-Enhanced Infrared Absorption by Optical Phonons in Nanocrystal Monolayers on Au Nanoantenna Arrays

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Sveshnikova, L. L., Duda, T. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 16 мар. 2017, в: Journal of Physical Chemistry C. 121, 10, стр. 5779-5786 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  19. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  20. Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  21. Quantum capacitance of a three-dimensional topological insulator based on HgTe

    Kozlov, D. A., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Savchenko, M. L., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 430-436 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764