1. 2018
  2. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  8. 2017
  9. Estimation of the Alignment Parameters of a Scanning Device with a Multirow Focal Plane Array

    Gromilin, G. I., Kosykh, V. P., Kozlov, K. V. & Vasil’ev, V. N., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 570-575 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Simultaneous Localization and Mapping System on the Basis of a CoreSLAM Approach

    Baramiya, D. A., D’yakov, M. S., Kuzikovskii, S. A. & Lavrentyev, M. M., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 599-603 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. Experimental study of ionic liquid-water flow in T-shaped microchannels with different aspect ratios

    Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 27 сент. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 899, 3, 6 стр., 032026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  15. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes

    Rodionov, A. A., Golyashov, V. A., Chistokhin, I. B., Jaroshevich, A. S., Derebezov, I. A., Haisler, V. A., Shamirzaev, T. S., Marakhovka, I. I., Kopotilov, A. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 26 сент. 2017, в: Physical Review Applied. 8, 3, 8 стр., 034026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  16. Stress-induced indirect to direct band gap transition in β -FeSi2 nanocrystals embedded in Si

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotsenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Iinuma, M. & Terai, Y., 14 сент. 2017, Proceedings of International Conference on Metamaterials and Nanophotonics, METANANO 2017. American Institute of Physics Inc., Том 1874. 5 стр. 030007. (AIP Conference Proceedings; том 1874).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  17. Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  18. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  19. Numerical and experimental study of the slug-flow regime in a mixture of castor and paraffin oils in a T-type microchannel

    Minakov, A. V., Shebeleva, A. A., Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 1 сент. 2017, в: Technical Physics Letters. 43, 9, стр. 857-859 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  20. Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films

    Tyschenko, I. E., Cherkov, A. G., Volodin, V. A. & Voelskow, M., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1240-1246 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  21. Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Islamov, D. R., Chernikova, A. G., Kozodaev, M. G., Markeev, A. M., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A. & Orlov, O. M., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  22. Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Orlov, O. M. & Krasnikov, G. Y., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

ID: 3087404