1. статья › научная › Прошло рецензирование
  2. Fast evaluation of tsunami waves heights around kamchatka and kuril islands

    Lavrentiev, M., Lysakov, K., Marchuk, A., Oblaukhov, K. & Shadrin, M., 1 февр. 2019, в: Science of Tsunami Hazards. 38, 1, стр. 1-13 13 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Flow hydrodynamics of immiscible liquids with low viscosity ratio in a rectangular microchannel with T-junction

    Kovalev, A. V., Yagodnitsyna, A. A. & Bilsky, A. V., 15 нояб. 2018, в: Chemical Engineering Journal. 352, стр. 120-132 13 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Flow Regimes of Viscous Immiscible Liquids in T-Type Microchannels

    Minakov, A. V., Shebeleva, A. A., Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 1 мая 2019, в: Chemical Engineering and Technology. 42, 5, стр. 1037-1044 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Flux growth and phase diversity of the triple oxides of transition metals (Mn,Fe,Ga)2O3 in multicomponent fluxes based on Bi2O3-MoO3-B2O3-Na2O

    Moshkina, E., Seryotkin, Y., Bayukov, O., Molokeev, M., Kokh, D., Smorodina, E., Krylov, A. & Bezmaternykh, L., 11 апр. 2023, в: CrystEngComm. 25, 18, стр. 2824-2834 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations

    Volodin, V. A., Sachkov, V. A. & Sinyukov, M. P., 1 июн. 2018, в: Semiconductors. 52, 6, стр. 717-722 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emelyanov, E. A., Nenashev, A. V., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Putyato, M. A., Bogomolov, D. B., Gutakovskiy, A. K. & Preobrazhenskiy, V. V., февр. 2021, в: Semiconductors. 55, 2, стр. 194-201 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1143-1147 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3087404