1. Optical properties of Si nanocrystals formed with laser pulse annealing

    Volodin, V. A., 2017, в: Materials Today: Proceedings. 4, 11, стр. 11402-11405 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 357-362 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  4. Parton distributions in radiative corrections to the cross section of electron-proton scattering

    Fadin, V. S. & Gerasimov, R. E., мар. 2021, в: European Physical Journal A. 57, 3, 86.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Phase Triangulation Method with Statistical Filtering for Measurements at Random Additive Interference with a Limited Dynamic Range of a Photodetector

    Dvoynishnikov, S. V., Meledin, V. G., Kabardin, I. K., Rakhmanov, V. V. & Zuev, V. O., 1 сент. 2022, в: Measurement Techniques. 65, стр. 426-431 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes

    Rodionov, A. A., Golyashov, V. A., Chistokhin, I. B., Jaroshevich, A. S., Derebezov, I. A., Haisler, V. A., Shamirzaev, T. S., Marakhovka, I. I., Kopotilov, A. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 26 сент. 2017, в: Physical Review Applied. 8, 3, 8 стр., 034026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Photoemission from p-GaAs(Cs,O) under transition from negative to positive electron affinity

    Protopopov, D. E., Khoroshilov, V. S., Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M. & Alperovich, V. L., 28 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  8. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  9. Photovoltage measurement by modulated photoemission on the p-GaAs surface with cesium overlayers

    Khoroshilov, V. S., Protopopov, D. E., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 1 мар. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012013.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3087404