21 - 30 из 76Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2022

  2. Toffoli gate based on a three-body fine-structure-state-changing Förster resonance in Rydberg atoms

    Ashkarin, I. N., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Ryabtsev, I. I., Cheinet, P., Pham, K. L., Lepoutre, S. & Pillet, P., сент. 2022, в: Physical Review A. 106, 3, 032601.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazancev, D. Y. & Zhuravlev, K. S., июн. 2022, в: Semiconductors. 56, 6, стр. 352-359 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y., Prosvirin, I. P. & Gutakovskii, A. K., 28 февр. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 8, 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Effect of SiO2 nanoparticle addition on the evaporation of a suspended water droplet

    Starinskaya, E. M., Nazarov, A. D., Miskiv, N. B. & Starinskiy, S. V., 2022, в: Heat Transfer Research. 53, 9, стр. 43-56 14 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. High-Speed Video Recording and IR Thermography to Study the Characteristics of a Two-Phase Flow and Heat Transfer during Spray Cooling of a Heated Surface

    Surtaev, A. S., Nazarov, A. D., Miskiv, N. B. & Serdyukov, V. S., 2022, в: High Temperature. 60, 1, стр. 129-132 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2021

  8. Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., сент. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 9, стр. 692-695 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. High-Power Microwave Photodiodes Based on MBE-Grown InAlAs/InGaAs Heterostructures

    Zhuravlev, K. S., Gilinskii, A. M., Chistokhin, I. B., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Aksenov, M. S., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., сент. 2021, в: Technical Physics. 66, 9, стр. 1072-1077 6 стр., 34.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Optical properties of native (anodic) layer on the InAlAs surface of different morphology

    Valisheva, N. A., Kruchinin, V. N., Aksenov, M. S., Azarov, I. A. & Nedomolkina, A. A., 30 июн. 2021, в: Thin Solid Films. 728, 138692.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Implementation of one-qubit quantum gates with individual addressing of two rubidium atoms in two optical dipole traps

    Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Al'yanova, N. V., Mityanin, K. Y., Ryabtsev, I. I. & Faruk, A. M., июн. 2021, в: Quantum Electronics. 51, 6, стр. 464-472 9 стр., 2.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. The Effect of Fluorine on the Density of States at the Anodic Oxide Layer/In0.53Ga0.47As Interface

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A. & Kovchavtsev, A. P., июн. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 6, стр. 478-481 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 12339846