1. 2019
  2. Optical Gain in Heavily Doped AlxGa1 – xN:Si Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 сент. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 9, стр. 951-954 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. About the nature of the barrier inhomogeneities at Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Chistokhin, I. B., Dmitriev, D. V., Kozhukhov, A. S. & Zhuravlev, K. S., 3 июн. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 22, 5 стр., 221602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. High-power microwave photodiodes with Schottky contact based on InAlAs/InGaAs/InP heteroepitaxial structures

    Zhuravlev, K. S., Valisheva, N. A., Aksenov, M. S., Dmitriev, D. D., Toropov, A. I., Chistokhin, I. B., Gilinsky, A. M., Protasov, D. Y., Malyshev, S. A., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., 1 мая 2019, 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2 стр. 8803902. (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  6. The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes

    Chistokhin, I. B., Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Marchishin, I. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 2, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Effect of dipole blockade on the laser excitation spectra of mesoscopic ensembles of cold Rydberg atoms

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Tretyakov, D. B., Yakshina, E. A. & Entin, V. M., 1 янв. 2019, в: Quantum Electronics. 49, 5, стр. 455-463 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Non3 is an essential drosophila gene required for proper nucleolus assembly

    Andreyeva, E. N., Ogienko, A. A., Yushkova, A. A., Popova, J. V., Pavlova, G. A., Kozhevnikova, E. N., Ivankin, A. V., Gatti, M. & Pindyurin, A. V., 1 янв. 2019, в: Вавиловский журнал генетики и селекции. 23, 2, стр. 190-198 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Rydberg atoms and quantum information

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Tretyakov, D. B., Yakshina, E. A., Entin, V. M. & Andreeva, C., 1 янв. 2019, 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE AND SCHOOL ON QUANTUM ELECTRONICS: LASER PHYSICS AND APPLICATIONS: Laser Physics and Applications. Avramov, L. & Dreischuh, T. (ред.). SPIE, Том 11047. 14 стр. 110470R. (Proceedings of SPIE; том 11047).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  10. Scheme of a hydrogen-molecule quantum simulator based on two ultracold rubidium atoms

    Ashkarin, I. N., Beterov, I. I., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Yakshina, E. A. & Ryabtsev, I. I., 1 янв. 2019, в: Quantum Electronics. 49, 5, стр. 449-454 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. 2018
  12. Coherence of three-body Förster resonances in Rydberg atoms

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Tretyakov, D. B., Yakshina, E. A., Entin, V. M., Cheinet, P. & Pillet, P., 13 нояб. 2018, в: Physical Review A. 98, 5, 12 стр., 052703.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 12339846