ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ В НАНОКРИСТАЛЛАХ INSB, ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА SI/SIO2 СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ

Standard

ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ В НАНОКРИСТАЛЛАХ INSB, ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА SI/SIO2 СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ. / ЧЖАН, Ж.; ТЫСЧЕНКО, И.Е.; ГУТАКОВСКИЙ, А.К. et al.

In: Автометрия, Vol. 61, No. 3, 2025, p. 96-102.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{d34bce82789f4a78a380f1c918183eb1,

title = "ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ В НАНОКРИСТАЛЛАХ INSB, ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА SI/SIO2 СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ",

abstract = "Изучены свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO2 структуры кремний-на-изоляторе (КНИ). Формирование нанокристаллов InSb происходило в результате диффузии атомов In и Sb из имплантированных областей SiO2 и Si к границе сращивания структуры КНИ при температурах отжига 1000 и 1100 °C в течение 0,5-5 ч. Спектры комбинационного рассеяния света возбуждались излучением лазера с длиной волны λex = 514,5 нм при комнатной температуре. В спектрах отожжённых структур наблюдались полосы рассеяния, положение которых соответствовало TO- и LO-модам в InSb. Обнаружен эффект высокочастотного смещения TO- и LO-мод в нанокристаллах InSb, который имел обратную зависимость от времени отжига по мере увеличения температуры. Природа наблюдаемого эффекта связывается с деформациями в нанокристаллах. В нанокристаллах, формирующихся после отжига при температуре 1000 °C, присутствуют негидростатические деформации, а после отжига при 1100 °C деформации наблюдаются лишь на начальных стадиях роста и близки к гидростатическим.",

keywords = "Ионная имплантация, SIO2, INSB, Нанокристаллы, Оптические фотоны, ION IMPLANTATION, NANOCRYSTALS, OPTICAL PHONONS",

author = "Ж. ЧЖАН and И.Е. ТЫСЧЕНКО and А.К. ГУТАКОВСКИЙ and В.А. ВОЛОДИН and В.П. ПОПОВ",

note = "Оптические фононы в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO2 структур кремний-на-изоляторе / Ж. Чжан, И. Е. Тысченко, А. К. Гутаковский [и др.] // Автометрия. – 2025. – Т. 61, № 3. – С. 96-102. – DOI 10.15372/AUT20250309.",

year = "2025",

doi = "10.15372/aut20250309",

language = "русский",

volume = "61",

pages = "96--102",

journal = "Автометрия",

issn = "0320-7102",

publisher = "ФГУП {"}Издательство СО РАН{"}",

number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ В НАНОКРИСТАЛЛАХ INSB, ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА SI/SIO2 СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ

AU - ЧЖАН, Ж.

AU - ТЫСЧЕНКО, И.Е.

AU - ГУТАКОВСКИЙ, А.К.

AU - ВОЛОДИН, В.А.

AU - ПОПОВ, В.П.

N1 - Оптические фононы в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO2 структур кремний-на-изоляторе / Ж. Чжан, И. Е. Тысченко, А. К. Гутаковский [и др.] // Автометрия. – 2025. – Т. 61, № 3. – С. 96-102. – DOI 10.15372/AUT20250309.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Изучены свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO2 структуры кремний-на-изоляторе (КНИ). Формирование нанокристаллов InSb происходило в результате диффузии атомов In и Sb из имплантированных областей SiO2 и Si к границе сращивания структуры КНИ при температурах отжига 1000 и 1100 °C в течение 0,5-5 ч. Спектры комбинационного рассеяния света возбуждались излучением лазера с длиной волны λex = 514,5 нм при комнатной температуре. В спектрах отожжённых структур наблюдались полосы рассеяния, положение которых соответствовало TO- и LO-модам в InSb. Обнаружен эффект высокочастотного смещения TO- и LO-мод в нанокристаллах InSb, который имел обратную зависимость от времени отжига по мере увеличения температуры. Природа наблюдаемого эффекта связывается с деформациями в нанокристаллах. В нанокристаллах, формирующихся после отжига при температуре 1000 °C, присутствуют негидростатические деформации, а после отжига при 1100 °C деформации наблюдаются лишь на начальных стадиях роста и близки к гидростатическим.

AB - Изучены свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO2 структуры кремний-на-изоляторе (КНИ). Формирование нанокристаллов InSb происходило в результате диффузии атомов In и Sb из имплантированных областей SiO2 и Si к границе сращивания структуры КНИ при температурах отжига 1000 и 1100 °C в течение 0,5-5 ч. Спектры комбинационного рассеяния света возбуждались излучением лазера с длиной волны λex = 514,5 нм при комнатной температуре. В спектрах отожжённых структур наблюдались полосы рассеяния, положение которых соответствовало TO- и LO-модам в InSb. Обнаружен эффект высокочастотного смещения TO- и LO-мод в нанокристаллах InSb, который имел обратную зависимость от времени отжига по мере увеличения температуры. Природа наблюдаемого эффекта связывается с деформациями в нанокристаллах. В нанокристаллах, формирующихся после отжига при температуре 1000 °C, присутствуют негидростатические деформации, а после отжига при 1100 °C деформации наблюдаются лишь на начальных стадиях роста и близки к гидростатическим.

KW - Ионная имплантация

KW - SIO2

KW - INSB

KW - Нанокристаллы

KW - Оптические фотоны

KW - ION IMPLANTATION

KW - NANOCRYSTALS

KW - OPTICAL PHONONS

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/775f8efd-bf57-36a1-965e-3a05777fe971/

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=82615140

U2 - 10.15372/aut20250309

DO - 10.15372/aut20250309

M3 - статья

VL - 61

SP - 96

EP - 102

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 3

ER -

ID: 71989486