TY - PAT

T1 - Способ измерения параметров элементарной ячейки кристаллов на установках, использующих 2D-детекторы

AU - Громилов, Сергей Александрович

AU - Серебренникова, Полина Сергеевна

PY - 2026/3/3

Y1 - 2026/3/3

N2 - Изобретение относится к области дифрактометрии монокристаллов c использованием рентгеновского и синхротронного излучений. Способ измерения параметров элементарной ячейки кристаллов заключается в том, что применяют устройство для выведения дополнительного детектора в большие углы дифракции, отбирают совершенные кристаллы исследуемого образца и эталона, каждый из них монтируют на собственную гониометрическую головку и центрируют, с помощью основного детектора производят стандартную съемку для определения матрицы ориентации, на дифрактограммах исследуемого образца и эталона выбирают наиболее близкие по угловому положению рефлексы с наибольшими углами дифракции, рассчитывают условия выведения выбранных рефлексов в отражающее положение на экваториальную окружность гониометра, последовательно выводят рефлексы эталона в отражающее положение и фиксируют их дополнительным детектором, уточняют зависимость углового размера пикселя от экваториальной координаты детектора, в соответствии с полученной зависимостью рассчитывают уточненные угловые положения рефлексов исследуемого образца, с их помощью рассчитывают параметры элементарной ячейки исследуемого образца. Технический результат – повышение точности определения параметров элементарной ячейки.

AB - Изобретение относится к области дифрактометрии монокристаллов c использованием рентгеновского и синхротронного излучений. Способ измерения параметров элементарной ячейки кристаллов заключается в том, что применяют устройство для выведения дополнительного детектора в большие углы дифракции, отбирают совершенные кристаллы исследуемого образца и эталона, каждый из них монтируют на собственную гониометрическую головку и центрируют, с помощью основного детектора производят стандартную съемку для определения матрицы ориентации, на дифрактограммах исследуемого образца и эталона выбирают наиболее близкие по угловому положению рефлексы с наибольшими углами дифракции, рассчитывают условия выведения выбранных рефлексов в отражающее положение на экваториальную окружность гониометра, последовательно выводят рефлексы эталона в отражающее положение и фиксируют их дополнительным детектором, уточняют зависимость углового размера пикселя от экваториальной координаты детектора, в соответствии с полученной зависимостью рассчитывают уточненные угловые положения рефлексов исследуемого образца, с их помощью рассчитывают параметры элементарной ячейки исследуемого образца. Технический результат – повышение точности определения параметров элементарной ячейки.

M3 - патент на изобретение

M1 - 2857482

Y2 - 2025/10/14

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -