Standard

Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов. / Маслова, Н. А.; Данилов, Д. В.; Вывенко, О. Ф. et al.

In: Физика и техника полупроводников, Vol. 59, No. 5, 2025, p. 298-301.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Маслова, НА, Данилов, ДВ, Вывенко, ОФ, Скуратов, ВА, Володин, ВА, Калядин, АЕ & Соболев, НА 2025, 'Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов', Физика и техника полупроводников, vol. 59, no. 5, pp. 298-301. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.05.61477.8047

APA

Маслова, Н. А., Данилов, Д. В., Вывенко, О. Ф., Скуратов, В. А., Володин, В. А., Калядин, А. Е., & Соболев, Н. А. (2025). Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов. Физика и техника полупроводников, 59(5), 298-301. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.05.61477.8047

Vancouver

Маслова НА, Данилов ДВ, Вывенко ОФ, Скуратов ВА, Володин ВА, Калядин АЕ et al. Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов. Физика и техника полупроводников. 2025;59(5):298-301. doi: 10.61011/FTP.2025.05.61477.8047

Author

Маслова, Н. А. ; Данилов, Д. В. ; Вывенко, О. Ф. et al. / Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов. In: Физика и техника полупроводников. 2025 ; Vol. 59, No. 5. pp. 298-301.

BibTeX

@article{9f0b228064174755a24dc524e97ba047,
title = "Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов",
abstract = "Исследовано пространственное распределение комплексов точечных дефектов по глубине в монокристаллическом кремнии, облученном ионами ксенона с энергией 167 МэВ и флюенсом 5·1011 см-2 и отожженном в интервале температур 400-600 oC. Установлено, что по всей глубине области имплантации образуется большое число различных вакансионных комплексов, а на проекционной глубине имплантированных ионов возникает потенциальный барьер для протекания тока. Обнаружено, что высокая интенсивность спектральной линии люминесценции W/W', соответствующей межузельным комплексам, сохраняется и на глубинах, намного превосходящих проекционную длину, что может быть объяснено участием механизмов ускоренной диффузии собственных дефектов.",
keywords = "КРЕМНИЙ, ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ, КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ",
author = "Маслова, {Н. А.} and Данилов, {Д. В.} and Вывенко, {О. Ф.} and Скуратов, {В. А.} and Володин, {Владимир Алексеевич} and Калядин, {А. Е.} and Соболев, {Н. А.}",
note = "Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов / Н. А. Маслова, Д. В. Данилов, О. Ф. Вывенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 5. – С. 298-301. – DOI 10.61011/FTP.2025.05.61477.8047. – EDN NMESNH. Работа выполнена при поддержке СПбГУ, регистрационный номер ЕГИСУ НИОКТР: 125021702335-5.",
year = "2025",
doi = "10.61011/FTP.2025.05.61477.8047",
language = "русский",
volume = "59",
pages = "298--301",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",
number = "5",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов

AU - Маслова, Н. А.

AU - Данилов, Д. В.

AU - Вывенко, О. Ф.

AU - Скуратов, В. А.

AU - Володин, Владимир Алексеевич

AU - Калядин, А. Е.

AU - Соболев, Н. А.

N1 - Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов / Н. А. Маслова, Д. В. Данилов, О. Ф. Вывенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 5. – С. 298-301. – DOI 10.61011/FTP.2025.05.61477.8047. – EDN NMESNH. Работа выполнена при поддержке СПбГУ, регистрационный номер ЕГИСУ НИОКТР: 125021702335-5.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Исследовано пространственное распределение комплексов точечных дефектов по глубине в монокристаллическом кремнии, облученном ионами ксенона с энергией 167 МэВ и флюенсом 5·1011 см-2 и отожженном в интервале температур 400-600 oC. Установлено, что по всей глубине области имплантации образуется большое число различных вакансионных комплексов, а на проекционной глубине имплантированных ионов возникает потенциальный барьер для протекания тока. Обнаружено, что высокая интенсивность спектральной линии люминесценции W/W', соответствующей межузельным комплексам, сохраняется и на глубинах, намного превосходящих проекционную длину, что может быть объяснено участием механизмов ускоренной диффузии собственных дефектов.

AB - Исследовано пространственное распределение комплексов точечных дефектов по глубине в монокристаллическом кремнии, облученном ионами ксенона с энергией 167 МэВ и флюенсом 5·1011 см-2 и отожженном в интервале температур 400-600 oC. Установлено, что по всей глубине области имплантации образуется большое число различных вакансионных комплексов, а на проекционной глубине имплантированных ионов возникает потенциальный барьер для протекания тока. Обнаружено, что высокая интенсивность спектральной линии люминесценции W/W', соответствующей межузельным комплексам, сохраняется и на глубинах, намного превосходящих проекционную длину, что может быть объяснено участием механизмов ускоренной диффузии собственных дефектов.

KW - КРЕМНИЙ

KW - ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ

KW - КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ

KW - ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

U2 - 10.61011/FTP.2025.05.61477.8047

DO - 10.61011/FTP.2025.05.61477.8047

M3 - статья

VL - 59

SP - 298

EP - 301

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 5

ER -

ID: 75451127