Standard

Программа для моделирования вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник в случае обеднения. / Володин, Владимир Алексеевич (Author); Климов, Богдан Алексеевич (Author); Попов, Дмитрий Константинович (Author).

Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 2026617754. Mar 20, 2026.

Research output: PatentSoftware registration

Harvard

APA

Vancouver

Author

Володин, Владимир Алексеевич (Author) ; Климов, Богдан Алексеевич (Author) ; Попов, Дмитрий Константинович (Author). / Программа для моделирования вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник в случае обеднения. Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 2026617754. Mar 20, 2026.

BibTeX

@misc{6c95f82056684b50a46e6f42ac7fb0b0,
title = "Программа для моделирования вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник в случае обеднения",
abstract = "Программа предназначена для моделирования вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Вычислительная схема базируется на физической модели зависимости глубины области пространственного заряда в полупроводнике для случая обеднения. Программа позволяет вычислять полную ёмкость структур металл-диэлектрик-полупроводник. Программа может быть использована для обучения студентов и для компьютерной демонстрации работы варикапа. Программа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки РФ FSUS-2024-0020.",
author = "Володин, {Владимир Алексеевич} and Климов, {Богдан Алексеевич} and Попов, {Дмитрий Константинович}",
year = "2026",
month = mar,
day = "20",
language = "русский",
publisher = "Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности",
address = "Российская Федерация",
type = "Patent",
note = "2026617754",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Программа для моделирования вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник в случае обеднения

AU - Володин, Владимир Алексеевич

AU - Климов, Богдан Алексеевич

AU - Попов, Дмитрий Константинович

PY - 2026/3/20

Y1 - 2026/3/20

N2 - Программа предназначена для моделирования вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Вычислительная схема базируется на физической модели зависимости глубины области пространственного заряда в полупроводнике для случая обеднения. Программа позволяет вычислять полную ёмкость структур металл-диэлектрик-полупроводник. Программа может быть использована для обучения студентов и для компьютерной демонстрации работы варикапа. Программа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки РФ FSUS-2024-0020.

AB - Программа предназначена для моделирования вольтфарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник. Вычислительная схема базируется на физической модели зависимости глубины области пространственного заряда в полупроводнике для случая обеднения. Программа позволяет вычислять полную ёмкость структур металл-диэлектрик-полупроводник. Программа может быть использована для обучения студентов и для компьютерной демонстрации работы варикапа. Программа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки РФ FSUS-2024-0020.

M3 - свидетельство о регистрации программы для ЭВМ

M1 - 2026617754

Y2 - 2026/03/17

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -

ID: 76258781