1. 2023
  2. Основание для пересмотра интерпретации полос в спектрах комбинационного рассеяния сопряженных полимеров

    Просанов, И. Ю., Сидельников, А. А. & Володин, В. А., Mar 2023, In: Оптика и спектроскопия. 131, 2, p. 260-263 4 p., 24.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  3. Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a SiOxNy:H

    Володин, В. А., Камаев, Г. Н., Гриценко, В. А., Черкова, С. Г. & Просвирин, И. П., Mar 2023, In: Журнал технической физики. 93, 4, p. 575-582 8 p., 20.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  4. Structural features of Li0.55Ag0.45InSe2 and Li0.37Ag0.63InSe2 crystals

    Lobanov, S. I., Korzhneva, K. E., Gromilov, S. A., Sukhikh, A. S. & Isaenko, L. I., 15 Feb 2023, In: Journal of Crystal Growth. 604, 127057.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  5. Visualization of Swift Ion Tracks in Suspended Local Diamondized Few-Layer Graphene

    Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Gutakovskii, A. K., Smovzh, D. V., Volodin, V. A. & Sorokin, P. B., 7 Feb 2023, In: Materials. 16, 4, 1391.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  6. Определение углов на электронно-микроскопических изображениях по Фурье-дифрактограммам

    Ishchenko, A., 2 Feb 2023, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Patent No. 2023612412, Priority date 15 Dec 2022, Priority No. 2022684747

    Research output: PatentSoftware registration

  7. Characterization of Structure, Morphology, Optical and Electrical Properties of AlN–Al–V Multilayer Thin Films Fabricated by Reactive DC Magnetron Sputtering

    Миронова, М. И., Капишников, А. В., Хамуд, Г., Володин, В. А., Азаров, И. А., Юшков, И. Д., Камаев, Г. Н., Супрун, Е., Chirikov, N., Davletkildeev, N. A., Baidakov, A. N., Kovivchak, V. S., Baranova, L. V., Струнин, В. И. & Гейдт, П. В., Feb 2023, In: Coatings. 13, 2, 223.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  8. Charge Transport Mechanism in the Forming-Free Memristor Based on PECVD Silicon Oxynitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Gritsenko, V. A., Feb 2023, In: Electronics (Switzerland). 12, 3, 598.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  9. Formation of light-emitting defects in silicon by swift heavy ion irradiation and subsequent annealing

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Skuratov, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., Feb 2023, In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 535, p. 132-136 5 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  10. Memristors Based on Many-Layer Non-Stoichiometric Germanosilicate Glass Films

    Yushkov, I. D., Yin, L., Kamaev, G. N., Prosvirin, I. P., Geydt, P. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., Feb 2023, In: Electronics (Switzerland). 12, 4, 873.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  11. Spiers Memorial Lecture: Mechanochemistry, tribochemistry, mechanical alloying - retrospect, achievements and challenges

    Boldyreva, E., 5 Jan 2023, In: Faraday Discussions. 241, 0, p. 9-62 54 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

ID: 3087437