Transparent silicon carbide/tunnel SiO2 passivation for c-Si solar cell front side: Enabling Jsc > 42 mA/cm2 and iVoc of 742 mV

Transparent silicon carbide/tunnel SiO₂ passivation for c-Si solar cell front side: Enabling J_sc > 42 mA/cm² and iV_oc of 742 mV

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	321-327
Число страниц	7
Журнал	Progress in Photovoltaics: Research and Applications
Том	28
Номер выпуска	4
DOI	https://doi.org/10.1002/pip.3244
Состояние	Опубликовано - 1 апр. 2020

ID: 23209662