The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

The influence of impurity profiles on mobility of two-dimensional electron gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures modulation-doped by donors and acceptors

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Физический факультет

DOI

https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.12.013
Конечная издательская версия

D. Yu Protasov
K. S. Zhuravlev

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	66-72
Число страниц	7
Журнал	Solid-State Electronics
Том	129
DOI	https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.12.013
Состояние	Опубликовано - 1 мар. 2017

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 9562011