Standard

Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si. / Юшков, Иван Дмитриевич; Гисматулин, Андрей Андреевич; Камаев, Геннадий Николаевич и др.

в: Физика и техника полупроводников, Том 59, № 6, 10, 2025, стр. 364-370.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Юшков, ИД, Гисматулин, АА, Камаев, ГН, Vergnat, M & Володин, ВА 2025, 'Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si', Физика и техника полупроводников, Том. 59, № 6, 10, стр. 364-370. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.06.61573.8396

APA

Юшков, И. Д., Гисматулин, А. А., Камаев, Г. Н., Vergnat, M., & Володин, В. А. (2025). Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si. Физика и техника полупроводников, 59(6), 364-370. [10]. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.06.61573.8396

Vancouver

Юшков ИД, Гисматулин АА, Камаев ГН, Vergnat M, Володин ВА. Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si. Физика и техника полупроводников. 2025;59(6):364-370. 10. doi: 10.61011/FTP.2025.06.61573.8396

Author

Юшков, Иван Дмитриевич ; Гисматулин, Андрей Андреевич ; Камаев, Геннадий Николаевич и др. / Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si. в: Физика и техника полупроводников. 2025 ; Том 59, № 6. стр. 364-370.

BibTeX

@article{af929e939e3d4e93b97d5b02dfd39b1e,
title = "Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si",
abstract = "Исследован механизм транспорта заряда в структурах металл—диэлектрик—полупроводник (МДП) ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z) (0.25≤ z≤1)/n+-Si с пленками германосиликатного стекла, полученными путем испарения электронным пучком порошков оксида германия и оксида кремния в вакууме. Верхний контакт ITO наносился на поверхность диэлектрического слоя методом магнетронного распыления. По данным ИК спектроскопии, в пленках состава [GeOx](z)[SiO2](1-z) (0.25≤ z≤0.75) присутствуют связи Ge-O, Si-O и Ge-O-Si. Экспериментальные вольт-амперные характеристики, измеренные при различных температурах, аппроксимированы с использованием как контактно-ограниченных, так и объемно-ограниченных моделей транспорта заряда в диэлектрике. Установлено, что механизм проводимости наиболее адекватно описывается моделью тока, ограниченного пространственным зарядом. Определены параметры ловушек в диэлектрике в рамках данной модели.",
keywords = "MIS STRUCTURE, CHARGE TRANSPORT, INFRARED SPECTROSCOPY",
author = "Юшков, {Иван Дмитриевич} and Гисматулин, {Андрей Андреевич} and Камаев, {Геннадий Николаевич} and M. Vergnat and Володин, {Владимир Алексеевич}",
note = "Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si / И.Д. Юшков, А.А. Гисматулин, Г.Н. Камаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59. - № 6. – С. 364-370. – DOI 10.61011/FTP.2025.06.61573.8396. – EDN UZCCQX. В части изучения структурных и оптических свойств работа выполнена в рамках государственного задания (ИФП СО РАН N FWGW-2025-0023). В части электрофизических исследований работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (грант N {"}FSUS-2024-0020{"}).",
year = "2025",
doi = "10.61011/FTP.2025.06.61573.8396",
language = "русский",
volume = "59",
pages = "364--370",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",
number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si

AU - Юшков, Иван Дмитриевич

AU - Гисматулин, Андрей Андреевич

AU - Камаев, Геннадий Николаевич

AU - Vergnat, M.

AU - Володин, Владимир Алексеевич

N1 - Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si / И.Д. Юшков, А.А. Гисматулин, Г.Н. Камаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59. - № 6. – С. 364-370. – DOI 10.61011/FTP.2025.06.61573.8396. – EDN UZCCQX. В части изучения структурных и оптических свойств работа выполнена в рамках государственного задания (ИФП СО РАН N FWGW-2025-0023). В части электрофизических исследований работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (грант N "FSUS-2024-0020").

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Исследован механизм транспорта заряда в структурах металл—диэлектрик—полупроводник (МДП) ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z) (0.25≤ z≤1)/n+-Si с пленками германосиликатного стекла, полученными путем испарения электронным пучком порошков оксида германия и оксида кремния в вакууме. Верхний контакт ITO наносился на поверхность диэлектрического слоя методом магнетронного распыления. По данным ИК спектроскопии, в пленках состава [GeOx](z)[SiO2](1-z) (0.25≤ z≤0.75) присутствуют связи Ge-O, Si-O и Ge-O-Si. Экспериментальные вольт-амперные характеристики, измеренные при различных температурах, аппроксимированы с использованием как контактно-ограниченных, так и объемно-ограниченных моделей транспорта заряда в диэлектрике. Установлено, что механизм проводимости наиболее адекватно описывается моделью тока, ограниченного пространственным зарядом. Определены параметры ловушек в диэлектрике в рамках данной модели.

AB - Исследован механизм транспорта заряда в структурах металл—диэлектрик—полупроводник (МДП) ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z) (0.25≤ z≤1)/n+-Si с пленками германосиликатного стекла, полученными путем испарения электронным пучком порошков оксида германия и оксида кремния в вакууме. Верхний контакт ITO наносился на поверхность диэлектрического слоя методом магнетронного распыления. По данным ИК спектроскопии, в пленках состава [GeOx](z)[SiO2](1-z) (0.25≤ z≤0.75) присутствуют связи Ge-O, Si-O и Ge-O-Si. Экспериментальные вольт-амперные характеристики, измеренные при различных температурах, аппроксимированы с использованием как контактно-ограниченных, так и объемно-ограниченных моделей транспорта заряда в диэлектрике. Установлено, что механизм проводимости наиболее адекватно описывается моделью тока, ограниченного пространственным зарядом. Определены параметры ловушек в диэлектрике в рамках данной модели.

KW - MIS STRUCTURE

KW - CHARGE TRANSPORT

KW - INFRARED SPECTROSCOPY

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=87616530

U2 - 10.61011/FTP.2025.06.61573.8396

DO - 10.61011/FTP.2025.06.61573.8396

M3 - статья

VL - 59

SP - 364

EP - 370

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 6

M1 - 10

ER -

ID: 74352386