Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe

Standard

Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe. / Швец, Василий Александрович ; Марин, Денис Викторович ; Азаров, Иван Алексеевич и др.

в: Физика и техника полупроводников, Том 59, № 3, 2025, стр. 153-159.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{f5566c6cd7d041bb96091eb738d8a44d,

title = "Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe",

abstract = "При молекулярно-лучевой эпитаксии существует два механизма нагрева подложки: теплопроводность и тепловое излучение. В работе рассматривается вклад лучистого нагрева в установление температуры образца в процессе эпитаксии слоя CdHgTe. На начальной стадии роста меняется излучательная способность структуры и нарушается тепловой баланс. Численными расчетами показано, что в отсутствие теплового контакта между образцом и нагревателем это должно приводить к значительному возрастанию равновесной температуры структуры. Рассчитана динамика изменения температуры при непрерывном росте слоя CdHgTe. Из этих расчетов следует, что остаточное изменение температуры будет наблюдаться также и после прекращения роста. Эксперименты, проведенные на спектральном эллипсометре, не обнаружили ожидаемых изменений температуры. Из этого сделан вывод, что в установках типа {"}Обь{"}, когда образец находится в механическом контакте с нагретой графитовой шайбой, излучательный механизм нагрева не является доминирующим.",

keywords = "ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ НАГРЕВ, СПЕКТР ПОГЛОЩЕНИЯ, ТЕМПЕРАТУРА ПОВЕРХНОСТИ РОСТА, ТЕПЛОВОЙ КОНТАКТ, КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР, ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ",

author = "Швец, {Василий Александрович} and Марин, {Денис Викторович} and Азаров, {Иван Алексеевич} and Якушев, {М. В.}",

note = "Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe / В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 3. – С. 153-159. – DOI 10.61011/FTP.2025.03.61094.7916. – EDN EOVFOT. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки высшего образования РФ, проект FWGW-2025-0008. ",

year = "2025",

doi = "10.61011/FTP.2025.03.61094.7916",

language = "русский",

volume = "59",

pages = "153--159",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",

number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe

AU - Швец, Василий Александрович

AU - Марин, Денис Викторович

AU - Азаров, Иван Алексеевич

AU - Якушев, М. В.

N1 - Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe / В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 3. – С. 153-159. – DOI 10.61011/FTP.2025.03.61094.7916. – EDN EOVFOT. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки высшего образования РФ, проект FWGW-2025-0008.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - При молекулярно-лучевой эпитаксии существует два механизма нагрева подложки: теплопроводность и тепловое излучение. В работе рассматривается вклад лучистого нагрева в установление температуры образца в процессе эпитаксии слоя CdHgTe. На начальной стадии роста меняется излучательная способность структуры и нарушается тепловой баланс. Численными расчетами показано, что в отсутствие теплового контакта между образцом и нагревателем это должно приводить к значительному возрастанию равновесной температуры структуры. Рассчитана динамика изменения температуры при непрерывном росте слоя CdHgTe. Из этих расчетов следует, что остаточное изменение температуры будет наблюдаться также и после прекращения роста. Эксперименты, проведенные на спектральном эллипсометре, не обнаружили ожидаемых изменений температуры. Из этого сделан вывод, что в установках типа "Обь", когда образец находится в механическом контакте с нагретой графитовой шайбой, излучательный механизм нагрева не является доминирующим.

AB - При молекулярно-лучевой эпитаксии существует два механизма нагрева подложки: теплопроводность и тепловое излучение. В работе рассматривается вклад лучистого нагрева в установление температуры образца в процессе эпитаксии слоя CdHgTe. На начальной стадии роста меняется излучательная способность структуры и нарушается тепловой баланс. Численными расчетами показано, что в отсутствие теплового контакта между образцом и нагревателем это должно приводить к значительному возрастанию равновесной температуры структуры. Рассчитана динамика изменения температуры при непрерывном росте слоя CdHgTe. Из этих расчетов следует, что остаточное изменение температуры будет наблюдаться также и после прекращения роста. Эксперименты, проведенные на спектральном эллипсометре, не обнаружили ожидаемых изменений температуры. Из этого сделан вывод, что в установках типа "Обь", когда образец находится в механическом контакте с нагретой графитовой шайбой, излучательный механизм нагрева не является доминирующим.

KW - ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ НАГРЕВ

KW - СПЕКТР ПОГЛОЩЕНИЯ

KW - ТЕМПЕРАТУРА ПОВЕРХНОСТИ РОСТА

KW - ТЕПЛОВОЙ КОНТАКТ

KW - КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР

KW - ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=84085270

U2 - 10.61011/FTP.2025.03.61094.7916

DO - 10.61011/FTP.2025.03.61094.7916

M3 - статья

VL - 59

SP - 153

EP - 159

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 3

ER -

ID: 75451279