Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы
Кристаллизация плёнок германия на нетугоплавких подложках с применением пико- и фемтосекундных лазерных отжигов. / Чэн, Надя.
2025. 142-144.Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы
}
TY - CONF
T1 - Кристаллизация плёнок германия на нетугоплавких подложках с применением пико- и фемтосекундных лазерных отжигов
AU - Чэн, Надя
PY - 2025
Y1 - 2025
N2 - В последние годы германий перспективен в качестве материала для гибкой электроники. Связано это с тем, что температура плавления германия ниже, чем у кремния, а подвижность дырок рекордно высока. Исследователи из Японии [1] создали тонкие пленки германия на гибком пластике с рекордно высокой подвижностью дырок с помощью постростового отжига при относительно низкой температуре 450 °C. Однако для использования недорогих пластиков в качестве гибких подложек необходимо значительно снизить температуру процессов - до значения ниже 120 °C. Для плёнок кремния и германия это невозможно сделать даже при использовании металл индуцированной кристаллизации. Итак, низкотемпературная кристаллизация тонких аморфных полупроводниковых пленок востребована для создания устройств гибкой электроники. При использовании импульсного лазерного отжига (ИЛО) можно применять очень нетугоплавкие, а значит недорогие и гибкие подложки, так как подложки практически не нагреваются в процессе ИЛО.
AB - В последние годы германий перспективен в качестве материала для гибкой электроники. Связано это с тем, что температура плавления германия ниже, чем у кремния, а подвижность дырок рекордно высока. Исследователи из Японии [1] создали тонкие пленки германия на гибком пластике с рекордно высокой подвижностью дырок с помощью постростового отжига при относительно низкой температуре 450 °C. Однако для использования недорогих пластиков в качестве гибких подложек необходимо значительно снизить температуру процессов - до значения ниже 120 °C. Для плёнок кремния и германия это невозможно сделать даже при использовании металл индуцированной кристаллизации. Итак, низкотемпературная кристаллизация тонких аморфных полупроводниковых пленок востребована для создания устройств гибкой электроники. При использовании импульсного лазерного отжига (ИЛО) можно применять очень нетугоплавкие, а значит недорогие и гибкие подложки, так как подложки практически не нагреваются в процессе ИЛО.
M3 - тезисы
SP - 142
EP - 144
ER -
ID: 72866063